【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频，尤其涉及一种推挽功率放大电路、射频功率放大电路和射频前端模组。
技术介绍
1、随着5g通信的逐渐普及，对终端等通信设备收发射频信号的性能需求也越来越高。例如，要求射频前端电路中的功率放大电路要有更好的线性度、功率、效率、带宽等。然而，现有的推挽功率放大电路为了满足宽频带需求，往往无法保证推挽功率放大电路的其它性能(例如：线性度、输出功率、阻抗和效率等)。因此，如何提高推挽功率放大电路在整个宽频带内的整体性能成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种推挽功率放大电路，以解决推挽功率放大电路在宽频带内的整体性能较差的问题。
2、一种推挽功率放大电路，包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管、第一lc 谐振电路、第二lc谐振电路、第三电容、第四电容和第一巴伦；所述第一差分放大晶体管的输出端通过所述第三电容耦合至所述第一巴伦的第一输入端，所述第二差分放大晶体管的输出端通过所述第四电容耦合至所述第一巴伦的第二输入端，所述第一lc谐振电路的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述第一lc谐振电路的第二端与接地端连接，所述第二lc谐振电路的第一端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接，所述第二lc谐振电路的第二端与接地端连接；
3、所述第一lc谐振电路包括串联连接的第一电容和第一电感，所述第二lc谐振电路包括串联连接的第二电容和第二电感。
4、进一步地，所述第一lc谐振电路和所述第二lc谐振电路被配置为对所
5、进一步地，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容和所述第一巴伦被配置为对所述推挽功率放大电路的基波阻抗进行调节。
6、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为2300mhz～2700mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[5pf-12pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在 [2pf-8pf]之间。
7、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为2300mhz～2700mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[7pf-10pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在 [4pf-6pf]之间。
8、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700mhz～2000mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[8pf-15pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在 [3pf-10pf]之间。
9、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700mhz～2000mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[9pf-12pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在 [5pf-7pf]之间。
10、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700mhz～2000mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[10pf-13pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在 [6pf-10pf]之间。
11、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为n77频段，所述第三电容所述第四电容的电容值均在[3pf-9pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在[1pf-5pf]之间。
12、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为n77频段，所述第三电容所述第四电容的电容值均在[4.5pf-6.5pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值在[1.5pf-3.5pf]之间。
13、进一步地，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比小于3：1。
14、进一步地，所述推挽功率放大电路的工作频段为[fa,fb]；
15、所述第一lc谐振电路和所述第二lc谐振电路在fa频点的谐振频率为所述第一lc谐振电路和所述第二lc谐振电路在fb频点的谐振频率为
16、进一步地，所述推挽功率放大电路还包括第三电感和第四电感，所述第三电感的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述第三电感的第二端与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接。
17、进一步地，所述第一电容、所述第三电容和所述第三电感被配置为使所述推挽功率放大电路的基波阻抗的虚部值为实部值的正负百分之四十；
18、所述第二电容、所述第四电容和所述第四电感被配置为使所述推挽功率放大电路的基波阻抗的虚部值为实部值的正负百分之四十。
19、进一步地，所述第一电容、所述第三电容和所述第三电感被配置为使所述推挽功率放大电路的基波阻抗的虚部值为实部值的正负百分之二十；
20、所述第二电容、所述第四电容和所述第四电感被配置为使所述推挽功率放大电路的基波阻抗的虚部值为实部值的正负百分之二十。
21、进一步地，第一供电电源端耦合至所述第三电感的第二端。
22、进一步地，所述第二绕组包括包括设置在第二金属层的第一部分次级线圈和设置在第一金属层的第二部分次级线圈，所述第一绕组包括设置在所述第二金属层的第一初级线圈，所述第一初级线圈与所述第一部分次级线圈同层耦合，所述第一初级线圈与所述第二部分次级线圈上下层耦合。
23、进一步地，所述第一绕组和所述第二绕组设置在同一金属层，所述第一绕组包括第一初级线圈段和第二初级线圈段，所述第二绕组包括次级线圈，所述第一初级线圈段和所述第二初级线圈段，所述第一初级线圈段和所述第二初级线圈段并联连接，所述第一初级线圈段设置在所述次级线圈内，所述第二初级线圈段设置在所述次级线圈外。
24、进一步地，所述第一差分放大晶体管为hbt管，所述第一差分放大晶体管的基极为所述第一差分放大晶体管的输入端，所述第一差分放大晶体管的集电极为所述第一差分放大晶体管的输出端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管的基极为所述第二差分放大晶体管的输入端，所述第二差分放大晶体管的集电极为所述第二差分放大晶体管的输出端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。
25、一种射频功率放大电路，包括第一差分对、第二差分对、第一巴伦、第二巴伦、第一lc谐振电路、第二lc谐振电路、第三lc谐振电路、第四lc谐振电路、第三电容、第四电容、第七电容和第八电容；
26、所述第一差分对的第一输出端通过所述第三电容耦合至所述第一巴伦的第一输入端，所述所述第一差分对的第二输出端通过所述第四电容耦合至所述第一巴伦的第二输入端；
27、所述第二差分对的第一输出端通过所述第七电容耦合至所述第二巴伦的第一输入端，所述第二差分对的第二输出端通过所述第八电容耦合至所述第二巴伦的第二输入端；
28、所述第一巴伦的第一输出端用于输出射频信号，所述第一巴伦的第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端连接，所述第二巴伦的第二输出端接地。
29、所述第一lc谐振电路的第一端与所述第一差分对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管、第一LC谐振电路、第二LC谐振电路、第三电容、第四电容和第一巴伦；所述第一差分放大晶体管的输出端通过所述第三电容耦合至所述第一巴伦的第一输入端，所述第二差分放大晶体管的输出端通过所述第四电容耦合至所述第一巴伦的第二输入端，所述第一LC谐振电路的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述第一LC谐振电路的第二端与接地端连接，所述第二LC谐振电路的第一端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接，所述第二LC谐振电路的第二端与接地端连接；
2.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路被配置为对所述推挽功率放大电路的二阶谐波阻抗进行调节。
3.如权利要求2所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容和所述第一巴伦被配置为对所述推挽功率放大电路的基波阻抗进行调节。
4.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为2300MHz～2700MHz
5.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为2300MHz～2700MHz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[7pF-10pF]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[4pF-6pF]之间。
6.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700MHz～2000MHz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[8pF-15pF]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[3pF-10pF]之间。
7.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700MHz～2000MHz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[9pF-12pF]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[5pF-7pF]之间。
8.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700MHz～2000MHz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[10pF-13pF]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[6pF-10pF]之间。
9.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为N77频段，所述第三电容所述第四电容的电容值均在[3pF-9pF]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[1pF-5pF]之间。
10.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为N77频段，所述第三电容所述第四电容的电容值均在[4.5pF-6.5pF]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[1.5pF-3.5pF]之间。
11.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比小于3：1。
12.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为[Fa,Fb]；
13.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路还包括第三电感和第四电感，所述第三电感的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述第三电感的第二端与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接。
14.如权利要求13所述的推挽功率放大电路，其特征在于，
15.如权利要求13所述的推挽功率放大电路，其特征在于，
16.如权利要求13所述的推挽功率放大电路，其特征在于，第一供电电源端耦合至所述第三电感的第二端。
17.如权利要求11所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组包括包括设置在第二金属层的第一部分次级线圈和设置在第一金属层的第二部分次级线圈，所述第一绕组包括设置在所述第二金属层的第一初级线圈，所述第一初级线圈与所述第一部分次级线圈同层耦合，所述第一初级线圈与所述第二部分次级线圈上下层耦合。
18.如权利要求11所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一绕组和所述第二绕组设置在同一金属层，所述第一绕组包括第一初级线圈段和第二初级线圈段，所述第二绕组包括次级线圈，所述第一初级线圈段和所述第二初级线圈段，所述第一初级线圈段和所述第二初级...
【技术特征摘要】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管、第一lc谐振电路、第二lc谐振电路、第三电容、第四电容和第一巴伦；所述第一差分放大晶体管的输出端通过所述第三电容耦合至所述第一巴伦的第一输入端，所述第二差分放大晶体管的输出端通过所述第四电容耦合至所述第一巴伦的第二输入端，所述第一lc谐振电路的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述第一lc谐振电路的第二端与接地端连接，所述第二lc谐振电路的第一端与所述第二差分放大晶体管的输出端连接，所述第二lc谐振电路的第二端与接地端连接；
2.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一lc谐振电路和所述第二lc谐振电路被配置为对所述推挽功率放大电路的二阶谐波阻抗进行调节。
3.如权利要求2所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容和所述第一巴伦被配置为对所述推挽功率放大电路的基波阻抗进行调节。
4.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为2300mhz～2700mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[5pf-12pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[2pf-8pf]之间。
5.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为2300mhz～2700mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[7pf-10pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[4pf-6pf]之间。
6.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700mhz～2000mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[8pf-15pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[3pf-10pf]之间。
7.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700mhz～2000mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[9pf-12pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[5pf-7pf]之间。
8.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为1700mhz～2000mhz，所述第三电容和所述第四电容的电容值均在[10pf-13pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[6pf-10pf]之间。
9.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为n77频段，所述第三电容所述第四电容的电容值均在[3pf-9pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[1pf-5pf]之间。
10.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为n77频段，所述第三电容所述第四电容的电容值均在[4.5pf-6.5pf]之间，所述第一电容和所述第二电容的电容值均在[1.5pf-3.5pf]之间。
11.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比小于3：1。
12.权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路的工作频段为[fa,fb]；
13.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路还包括第三电感和第四电感，所述第三电感的第一端与所述第一差分放大晶体管的输出端连接，所述第三电感的第二端与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第二差分放大晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹原，戎星桦，雷传球，刘双，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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