【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及变频器，尤其涉及一种由pnp三极管控制的igbt快速关断电路。
技术介绍
1、在工控行业中，igbt(绝缘栅双极晶体管)作为逆变部分的重要器件，其应用十分广泛。在实际应用中，成本和性能同样重要，0v电压关断也常用在逆变电路中，为避免0v电压关断过程寄生参数导致igbt二次开通可能引发同一桥臂直通进而引起炸管的现象，人们引入了快速关断电路。请参阅图1，现有的一种igbt快速关断电路如图1所示，包括电阻r2、二极管d1等部件，当关断igbt1时，驱动光耦op1输出电平vo为低电平，二极管d1正向导通，电阻r2与r1此时为并联关系，igbt1栅极驱动电阻减小，进而加快关断过程，而由于目前的igbt快速关断电路主要是由二极管以及电阻构成，该电路回路并接在驱动电阻两端，电阻减小带来的灌电流经过电阻r2、二极管d1后会对驱动光耦op1产生一定冲击和热损耗，甚至可能引起驱动光耦op1损坏。
2、因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种由pnp三极管控制的igbt快速关断电路。
2、本专利技术的技术方案如下：本专利技术提供一种由pnp三极管控制的igbt快速关断电路，包括：驱动光耦op1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、三极管q1和igbt 1，所述三极管q1为pnp三极管，所述电阻r2的阻值小于电阻r1，所述驱动光耦op1的原边与pwm脉冲输入端电性连接，所述驱动光耦op1的副边的集电极分别与所述电阻
3、进一步地，方案还包括电容c1，所述电容c1的一端分别与驱动光耦op1的电源电压端、vcc端电性连接，另一端与0v端电性连接。
4、进一步地，方案还包括电容c2，所述电容c2的一端与igbt 1的栅极电性连接，另一端与0v端电性连接。
5、进一步地，方案还可以包括igbt 2，所述igbt 1的发射极和igbt 2的集电极均分别与0v端电性连接，所述igbt 1的集电极与dc+端电性连接，所述igbt 1的发射极与dc-端电性连接。
6、进一步地，工作时包括第一模式，当处于第一模式时，pwm脉冲输入端输入信号使得所述驱动光耦op1的原边导通，从而使得所述驱动光耦op1的副边的集电极为高电平，使得所述三极管q1截止，igbt 1开通。
7、进一步地，工作时包括第二模式，当处于第二模式时，pwm脉冲输入端输入信号使得所述驱动光耦op1的原边截止，从而使得所述驱动光耦op1的副边的集电极为低电平，使得所述三极管q1导通，igbt 1的栅极电压经过所述电阻r2和三极管q1的集-射极后被拉到电源地，实现控制igbt 1的关断。
8、进一步地，工作时包括第三模式，当处于第三模式时，控制信号断线，pwm脉冲输入信号会被封锁，所述igbt 1不会误动作。
9、采用上述方案，本专利技术的有益效果在于：保证快速关断功能生效的同时降低关断时刻电流对驱动光耦的冲击，加强对驱动光耦的保护，降低了驱动光耦工作时候电流引起的热损耗，从一定程度上维护了驱动光耦的使用寿命，避免关断回路引起的电流造成驱动光耦损坏。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，包括：驱动光耦OP1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和IGBT 1，所述三极管Q1为PNP三极管，所述电阻R2的阻值小于电阻R1，所述驱动光耦OP1的原边与PWM脉冲输入端电性连接，所述驱动光耦OP1的副边的集电极分别与所述电阻R1的一端、三极管Q1的基极电性连接，所述驱动光耦OP1的副边的发射极、三极管Q1的集电极分别与0V端电性连接，所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端、IGBT 1的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管Q1的发射极电性连接，所述电阻R3的另一端与0V端电性连接。
2.根据权利要求1所述的由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，还包括电容C1，所述电容C1的一端分别与驱动光耦OP1的电源电压端、VCC端电性连接，另一端与0V端电性连接。
3.根据权利要求1所述的由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，还包括电容C2，所述电容C2的一端与IGBT 1的栅极电性连接，另一端与0V端电性连接。
4.根据
5.根据权利要求1至3任一项所述的由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，工作时包括第一模式，当处于第一模式时，PWM脉冲输入端输入信号使得所述驱动光耦OP1的原边导通，从而使得所述驱动光耦OP1的副边的集电极为高电平，使得所述三极管Q1截止，IGBT 1开通。
6.根据权利要求1至3任一项所述的由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，工作时包括第二模式，当处于第二模式时，PWM脉冲输入端输入信号使得所述驱动光耦OP1的原边截止，从而使得所述驱动光耦OP1的副边的集电极为低电平，使得所述三极管Q1导通，IGBT 1的栅极电压经过所述电阻R2和三极管Q1的集-射极后被拉到电源地，实现控制IGBT 1的关断。
7.根据权利要求1至3任一项所述的由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，工作时包括第三模式，当处于第三模式时，控制信号断线，PWM脉冲输入信号会被封锁，所述IGBT 1不会误动作。
...【技术特征摘要】
1.一种由pnp三极管控制的igbt快速关断电路，其特征在于，包括：驱动光耦op1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、三极管q1和igbt 1，所述三极管q1为pnp三极管，所述电阻r2的阻值小于电阻r1，所述驱动光耦op1的原边与pwm脉冲输入端电性连接，所述驱动光耦op1的副边的集电极分别与所述电阻r1的一端、三极管q1的基极电性连接，所述驱动光耦op1的副边的发射极、三极管q1的集电极分别与0v端电性连接，所述电阻r1的另一端分别与电阻r2的一端、电阻r3的一端、igbt 1的栅极电性连接，所述电阻r2的另一端与所述三极管q1的发射极电性连接，所述电阻r3的另一端与0v端电性连接。
2.根据权利要求1所述的由pnp三极管控制的igbt快速关断电路，其特征在于，还包括电容c1，所述电容c1的一端分别与驱动光耦op1的电源电压端、vcc端电性连接，另一端与0v端电性连接。
3.根据权利要求1所述的由pnp三极管控制的igbt快速关断电路，其特征在于，还包括电容c2，所述电容c2的一端与igbt 1的栅极电性连接，另一端与0v端电性连接。
4.根据权利要求1至3任一项所述的由pnp三极管控制的igbt快速关断电路，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：庹兴友，谢秋慧，
申请(专利权)人：华远电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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