【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于微型半导体芯片的巨量转移(mass-transfer)方法和巨量转移设备。
技术介绍
1、因为发光二极管(led)的低功耗和环保的优点，对其的工业需求增加。led可以用于照明设备、显示装置的液晶显示器(lcd)背光像素。微型led显示装置可以使用微型led芯片作为像素。在制造包括微型led芯片的显示装置中，可以使用激光剥离或拾取和放置方法来转移微型led。然而，在这些方法中，随着微型led的尺寸减小以及显示装置的尺寸增大，生产率可能降低。
技术实现思路
1、提供了一种微型半导体芯片的巨量转移方法和设备，其能够提高微型半导体芯片的巨量转移过程中的转移产量。
2、附加方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从该描述中是明显的，或可以通过所给出的本公开的实施方式被了解。
3、根据本公开的一方面，一种巨量转移多个微型半导体芯片的巨量转移方法包括：将多个第一微型半导体芯片巨量转移到第一基板上，使得所述多个第一微型半导体芯片设置在第一基板的多个第一凹槽中；确定在第一基板中是否存在空的第一凹槽，其中所述多个第一微型半导体芯片没有设置在所述多个第一凹槽中；以及将第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中，其中第二微型半导体芯片与所述多个第一微型半导体芯片当中的第一微型半导体芯片相同，其中定位可以包括：将多个第二微型半导体芯片转移到与第一基板分开的第二基板上，其中第二微型半导体芯片包括在所述多个第二微型半导体芯片中；以及使用静电力或电磁力，从第二基板吸附第二微型半
4、所述多个第一微型半导体芯片可以通过流体自组装方法被转移到第一基板上，所述多个第二微型半导体芯片通过流体自组装方法被转移到第二基板上。
5、第一微型半导体芯片的上表面可以具有与第一微型半导体芯片的下表面不同的界面能，第二微型半导体芯片的上表面可以具有与第二微型半导体芯片的下表面不同的界面能，第一微型半导体芯片可以设置在所述多个第一凹槽中的第一凹槽中，使得第二微型半导体芯片的上表面面向第一方向，第二微型半导体芯片可以位于空的第一凹槽中，使得第二微型半导体芯片的上表面面向第一方向。
6、所述确定可以包括检测关于空的第一凹槽的第一信息，第二微型半导体芯片可以基于检测到的第一信息被定位在空的第一凹槽中。
7、所述定位可以包括：使用由电磁阵列在特定区域中选择性地产生的静电力或电磁力，将所述多个第二微型半导体芯片中的至少一些吸附到电磁阵列的特定区域，以及将第二微型半导体芯片与电磁阵列分离，使得第二微型半导体芯片位于第一基板的空的第一凹槽中。
8、所述吸附可以包括：在第二基板上对准电磁阵列，以及基于检测到的第一信息，在与空的第一凹槽相对应的区域中选择性地产生静电力或电磁力。
9、第二微型半导体芯片的分离可以包括：对准电磁阵列和第一基板，使得吸附到电磁阵列的第二微型半导体芯片与空的第一凹槽相对；以及通过去除在电磁阵列中产生的静电力或电磁力，将所吸附的第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中。
10、所述多个第二微型半导体芯片中的所述至少一些的吸附可以包括：在第二基板上对准电磁阵列；通过在电磁阵列的整个区域中产生静电力或电磁力，吸附转移到第二基板上的所述多个第二微型半导体芯片；倒置电磁阵列，使得所吸附的多个第二微型半导体芯片面朝上；以及基于检测到的第一信息，通过在与电磁阵列的空的第一凹槽相对应的区域中选择性地产生静电力或电磁力，重新布置所述多个第二微型半导体芯片。
11、巨量转移方法可以进一步包括将所述多个第一微型半导体芯片和第二微型半导体芯片从第一基板转移到驱动基板上。
12、在巨量转移之后，错放的第一微型半导体芯片可以设置在第一基板的除了所述多个第一凹槽之外的区域上，所述方法可以进一步包括使用电磁阵列去除错放的第一微型半导体芯片。
13、第一基板可以包括限定所述多个第一凹槽的阻挡肋，在巨量转移期间，错放的第一微型半导体芯片可以被转移到阻挡肋上，盖方法可以进一步包括通过在电磁阵列的与阻挡肋重叠的区域中产生静电力或电磁力，使用电磁阵列从阻挡肋选择性地去除错放的第一微型半导体芯片。
14、所述多个第一微型半导体芯片和所述多个第二微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片的尺寸可以等于或小于约1000μm。
15、所述多个第一微型半导体芯片和所述多个第二微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片可以是微型发光二极管。
16、第一基板可以包括转移基板或驱动基板。
17、根据本公开的一方面，一种转移结构包括：包括多个第一凹槽的第一基板；多个第一微型半导体芯片，被巨量转移到第一基板上使得所述多个第一微型半导体芯片设置在第一基板的多个第一凹槽中；以及位于所述多个第一凹槽中的第一凹槽中的第二微型半导体芯片，其中第一凹槽在巨量转移之后是空的，其中第二微型半导体芯片与所述多个第一微型半导体芯片当中的第一微型半导体芯片相同，其中通过将多个第二微型半导体芯片转移到与第一基板分开的第二基板上，第二微型半导体芯片被定位在第一凹槽中，其中第二微型半导体芯片包括在所述多个第二微型半导体芯片中，从第二基板吸附第二微型半导体芯片，并使用静电力或电磁力将吸附的第二微型半导体芯片定位在第一凹槽中。
18、根据本公开的一方面，一种用于多个微型半导体芯片的巨量转移装置包括：转移装置，配置为将所述多个微型半导体芯片巨量转移到基板上使得所述多个微型半导体芯片通过流体自组装设置在多个凹槽中；以及电磁阵列，配置为使用静电力或电磁力选择性地吸附和分离所述多个微型半导体芯片，其中电磁阵列被进一步配置成使用以下来操作：清洁模式，其中电磁阵列被配置成在与基板中限定所述多个凹槽的阻挡肋相对应的区域中选择性地产生静电力或电磁力，以吸附被转移到阻挡肋上的错放的微型半导体芯片，以及互补模式，其中电磁阵列被配置为在与基板中的所述多个凹槽中的至少一些相对应的区域中产生静电力或电磁力，以吸附被转移到所述多个凹槽的至少一个微型半导体芯片，并使用所吸附的至少一个微型半导体芯片来补充另一个基板。
19、电磁阵列可以包括二维布置的多个单位单元，所述多个单位单元可以被配置为单独地产生静电力或电磁力。
20、巨量转移装置可以进一步包括视觉检测模块，该视觉检测模块被配置为检测关于所述多个微半导体芯片未插入其中的空的凹槽的信息。
21、转移装置可以包括：供应构件，配置为与液体同时或分开地供应所述多个微型半导体芯片；以及吸收构件，被配置为吸收液体。
22、所述多个微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片的尺寸可以小于或等于约1000μm。
23、根据本公开的一方面，一种转移多个微型半导体芯片的方法包括：将多个第一微型半导体芯片巨量转移到第一基板的多个第一凹槽中；检测第一基板的空的第一凹槽，其中所述多个第一微型半导体芯片未设置在所述多个第一凹槽中；以及将至少本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种巨量转移多个微型半导体芯片的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片通过流体自组装方法被转移到所述第一基板上，以及
3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，
4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述确定包括检测关于所述空的第一凹槽的第一信息，以及
5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其中所述定位包括：
6.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中所述吸附包括：
7.根据权利要求6所述的巨量转移方法，其中所述第二微型半导体芯片的所述分离包括：
8.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中所述多个第二微型半导体芯片中的所述至少一些的所述吸附包括：
9.根据权利要求1所述的巨量转移方法，还包括将所述多个第一微型半导体芯片和所述第二微型半导体芯片从所述第一基板转移到驱动基板上。
10.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中在所述巨量转移之后，错放的第一微型半导体芯片设置在所述第一基板的除了所述多个第一凹槽之
11.根据权利要求10所述的巨量转移方法，其中所述第一基板包括限定所述多个第一凹槽的阻挡肋，
12.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片和所述多个第二微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片的尺寸等于或小于约1000μm。
13.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片和所述多个第二微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片是微型发光二极管。
14.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述第一基板包括转移基板或驱动基板。
15.一种转移结构，包括：
16.一种用于多个微型半导体芯片的巨量转移装置，所述巨量转移装置包括：
17.根据权利要求16所述的巨量转移装置，其中所述电磁阵列包括二维布置的多个单位单元，以及
18.根据权利要求16所述的巨量转移装置，进一步包括传感器，所述传感器被配置为检测关于所述多个微型半导体芯片未插入其中的空的凹槽的信息。
19.根据权利要求16所述的巨量转移装置，其中所述转移装置包括：
20.根据权利要求16所述的巨量转移装置，其中所述多个微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片的尺寸小于或等于约1000μm。
21.一种转移多个微型半导体芯片的方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种巨量转移多个微型半导体芯片的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片通过流体自组装方法被转移到所述第一基板上，以及
3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，
4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述确定包括检测关于所述空的第一凹槽的第一信息，以及
5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其中所述定位包括：
6.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中所述吸附包括：
7.根据权利要求6所述的巨量转移方法，其中所述第二微型半导体芯片的所述分离包括：
8.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中所述多个第二微型半导体芯片中的所述至少一些的所述吸附包括：
9.根据权利要求1所述的巨量转移方法，还包括将所述多个第一微型半导体芯片和所述第二微型半导体芯片从所述第一基板转移到驱动基板上。
10.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中在所述巨量转移之后，错放的第一微型半导体芯片设置在所述第一基板的除了所述多个第一凹槽之外的区域上，以及
11.根据权利要求10所述的巨量转移方法，其中所述第一基板包括限定所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴俊勇，金东湖，金铉埈，洪硕佑，黄京旭，黄俊式，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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