【技术实现步骤摘要】
本申请涉及精密光学器件，尤其涉及一种半导体发光器的集成方法及半导体发光器的集成器件。
技术介绍
1、现有的成品半导体发光器件，例如激光二极管结构中存在金属管帽、金属管座等支撑结构(如图1所示)，而且在支撑结构的外侧还有保护外壳。在一些需要集成多束出射光的
(例如激光成像、激光印刷等)，需要使用由半导体发光器件阵列形成光学组件。
2、然而，现有的成品半导体阵列构成的光学组件中，其支撑结构和保护外壳的尺寸往往是其内部发光芯片(如图1中的laser diode，ld芯片)的数十倍，大大占用了阵列的排布空间，限制了激光器的出射光在单位面积内的排布密度。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体发光器的集成方法及半导体发光器的集成器件，用于提高半导体阵列构成的光学组件的出射光在单位面积内的分布密度。
2、本申请实施例第一方面提供了一种半导体发光器的集成方法，可包括：
3、将多颗半导体发光器芯片呈阵列固定设置在基板，且所述多颗半导体发光器芯片的出射光的出
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体发光器的集成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列在出射光的平行方向上与所述基板之间的距离可调整。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列中的透镜为非球面透镜、自聚焦透镜或锥面透镜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述将每颗半导体发光器芯片的正电压端、负电压端分别与所述基板上集成的一路电源的输出端的引线电连接，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将每组半导体发光器芯片的第一极性端统一连接至第一极性引线上，
...
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器的集成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列在出射光的平行方向上与所述基板之间的距离可调整。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列中的透镜为非球面透镜、自聚焦透镜或锥面透镜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述将每颗半导体发光器芯片的正电压端、负电压端分别与所述基板上集成的一路电源的输出端的引线电连接，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将每组半导体发光器芯片的第一极性端统一连接至第一极性引线上，包括：
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈乃奇，张向非，陈钢，
申请(专利权)人：深圳市先地图像科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。