【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构和半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的存储芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个存储芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了存储芯片的密度，并实现了大容量和高带宽。
2、然而，hbm的系统功耗较高，且集成度有待提升。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，至少有利于降低半导体结构的功耗，且提高半导体结构的集成度。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基板；中介层，焊接在所述基板的上表面；电源管理芯片，焊接在所述中介层的上表面；存储模块，位于所述中介层的上表面；所述存储模块包括多个沿第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述中介层的上表面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，多个所述存储芯片中的一者至少具有供电布线层，所述供电布线层与所述供电信号线电连接；所述电源管理芯片还与所述供电布线层电连接。
3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，制造方法包括：提供存储模块，所述存储模块包括多个沿第一方向堆叠的存储芯片，每个所述存储芯片内具有供电信号线，多个所述存储芯片中的一者至少具有供电布线层，所述供电布线层与所述供电信号线电连接；提供中介层和电源管理芯片；将所述存储模块
4、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：将电源管理芯片和存储模块进行系统级封装，从而增加了集成度，并利于电源管理，降低系统功耗。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：引线框架，电连接在所述供电布线层与所述电源管理芯片之间。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述引线框架为多个，且多个所述引线框架在第二方向上排列；所述第二方向垂直于所述第一方向，且平行于所述中介层的上表面；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储芯片均具有一个供电布线层，每个所述存储芯片内的所述供电布线层与所述供电信号线对应连接；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述存储模块中距离所述电源管理芯片最近的所述存储芯片具有所述供电布线层。
10.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二引线，所述第二引线连接在所述引线框
11.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述引线框架包括：依次相连的第一框架、第二框架和第三框架；
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个所述供电布线层包括接地布线和电源布线，且所述接地布线与所述电源布线在第二方向上交替排布；所述第二方向垂直于所述第一方向，且平行于所述中介层的上表面。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
15.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：引线框架，电连接在所述供电布线层与所述电源管理芯片之间。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述引线框架为多个，且多个所述引线框架在第二方向上排列；所述第二方向垂直于所述第一方向，且平行于所述中介层的上表面；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述存储芯片均具有一个供电布线层，每个所述存储芯片内的所述供电布线层与所述供电信号线对应连接；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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