一种半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；第一侧墙层，包括第一子部和第二子部，所述第一子部覆盖部分所述衬底，所述第二子部覆盖所述栅极结构的侧壁；第二侧墙层，位于所述第一子部上且覆盖所述第二子部的侧壁；载流子屏蔽层，包括第一子屏蔽层，所述第一子屏蔽层位于所述第二侧墙层的下方，且位于所述第一子部的上方。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、半导体结构，通常包括衬底、位于衬底上的栅极结构以及覆盖栅极结构侧壁的侧墙层，侧墙层通常包括具有捕获高能电子能力的氮化物层。

2、然而，随着半导体结构不断朝着小型化、高集成度的方向发展，位于栅极结构下方的衬底内的电场迅速增加，进而产生许多热电子，导致热电子诱导穿通(hot electroninduced punch through，heip)效应，部分热电子会被捕获在侧墙层内，被捕获的热电子可以吸引空穴集中到位于侧墙层下方的衬底内，从而劣化半导体结构的关断特性，降低半导体结构的性能。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构，包括:

2、衬底；

3、栅极结构，位于所述衬底上；

4、第一侧墙层，包括第一子部和第二子部，所述第一子部覆盖部分所述衬底，所述第二子部覆盖所述栅极结构的侧壁；

5、第二侧墙层，位于所述第一子部上且覆盖所述第二子部的侧壁；>

6、载流子屏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的材料包括非掺杂的多晶硅或非掺杂的非晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的厚度的范围在0.5nm至3nm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的材料包括氧化物，所述第二侧墙层的材料包括氮化物。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度小于1nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层还包括第二子屏蔽层，所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的材料包括非掺杂的多晶硅或非掺杂的非晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的厚度的范围在0.5nm至3nm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的材料包括氧化物，所述第二侧墙层的材料包括氮化物。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度小于1nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层还包括第二子屏蔽层，所述第二子屏蔽层位于所述第二子部与所述第二侧墙层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子屏蔽层的厚度大于所述第二子屏蔽层的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底内的沟道区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一晕环注入区和第二晕环注入区，其中，所述沟道区位于所述栅极结构的下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫民，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：