【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、半导体结构，通常包括衬底、位于衬底上的栅极结构以及覆盖栅极结构侧壁的侧墙层，侧墙层通常包括具有捕获高能电子能力的氮化物层。
2、然而，随着半导体结构不断朝着小型化、高集成度的方向发展，位于栅极结构下方的衬底内的电场迅速增加，进而产生许多热电子，导致热电子诱导穿通(hot electroninduced punch through，heip)效应，部分热电子会被捕获在侧墙层内，被捕获的热电子可以吸引空穴集中到位于侧墙层下方的衬底内，从而劣化半导体结构的关断特性，降低半导体结构的性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构，包括:
2、衬底；
3、栅极结构，位于所述衬底上；
4、第一侧墙层，包括第一子部和第二子部，所述第一子部覆盖部分所述衬底，所述第二子部覆盖所述栅极结构的侧壁；
5、第二侧墙层，位于所述第一子部上且覆盖所述第二子部的侧壁；
6、载流子屏蔽层，包括第一子屏蔽层，所述第一子屏蔽层位于所述第二侧墙层的下方，且位于所述第一子部的上方。
7、在一些实施例中，所述载流子屏蔽层的材料包括非掺杂的多晶硅或非掺杂的非晶硅。
8、在一些实施例中，所述载流子屏蔽层的厚度的范围在0.5nm至3nm之间。
9、在一些实施例中，所述第一侧墙层的材料包括氧化物，所述第二侧墙层的材料包括氮化物。
<...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的材料包括非掺杂的多晶硅或非掺杂的非晶硅。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的厚度的范围在0.5nm至3nm之间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的材料包括氧化物，所述第二侧墙层的材料包括氮化物。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度小于1nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层还包括第二子屏蔽层，所述第二子屏蔽层位于所述第二子部与所述第二侧墙层之间。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子屏蔽层的厚度大于所述第二子屏蔽层的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底内的沟道区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一晕环注入区和第二晕环注入区，其中，所述沟道区位于所述栅极结构的下方，所述第一轻掺杂区与所述第二轻
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第三侧墙层，所述第三侧墙层覆盖所述第二侧墙层的侧壁以及部分所述衬底。
10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述载流子屏蔽材料层的材料包括非掺杂的多晶硅或非掺杂的非晶硅。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一侧墙层、所述第二侧墙层和所述载流子屏蔽层之后，所述方法还包括：
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在对所述衬底执行第一掺杂工艺之后，所述方法还包括：
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在对所述衬底执行晕环注入工艺之后，所述方法还包括：
15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，在形成第三侧墙层之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的材料包括非掺杂的多晶硅或非掺杂的非晶硅。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层的厚度的范围在0.5nm至3nm之间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的材料包括氧化物，所述第二侧墙层的材料包括氮化物。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度小于1nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子屏蔽层还包括第二子屏蔽层，所述第二子屏蔽层位于所述第二子部与所述第二侧墙层之间。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一子屏蔽层的厚度大于所述第二子屏蔽层的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底内的沟道区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一晕环注入区和第二晕环注入区，其中，所述沟道区位于所述栅极结构的下方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张卫民，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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