【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体结构制作的，尤其涉及一种半导体结构及半导体的制作方法。
技术介绍
1、help(hot electron induced punch-through，热电子诱导穿透)效应是影响半导体器件中电流传导的重要因素。然而，现有的半导体器件受结构限制，存在较为严重的help问题。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。
3、本公开实施例提供了一种半导体结构，半导体结构包括：
4、衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区包括源极区、漏极区以及所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；栅极结构，设置于所述沟道区上；第一间隔件层；第二间隔件层，所述第一间隔件层和第二间隔件层共同覆盖所述栅极结构的侧壁，所述第一间隔件层位于所述衬底与所述第二间隔件层之间。
5、根据本公开的一些实施例，所述栅极结构包括栅极氧化层以及位于...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层上方的栅极导电层，所述栅极氧化层与所述第一间隔件层由同一氧化层构成。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的高度大于等于5nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层上方的栅极导电层，所述栅极氧化层和所述第一间隔件层由不同的氧化层构成，且所述第一间隔件层的高度大于所述栅极氧化层的高度。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层上方的栅极导电层，所述栅极氧化层与所述第一间隔件层由同一氧化层构成。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化层的高度大于等于5nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层上方的栅极导电层，所述栅极氧化层和所述第一间隔件层由不同的氧化层构成，且所述第一间隔件层的高度大于所述栅极氧化层的高度。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极氧化层为氧化硅层，所述第一间隔件层为四乙氧基硅烷层。
6.根据权利要求1～5任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二间隔件层包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底内第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一晕环注入区和第二晕环注入区，其中，所述第一轻掺杂区与所述第二轻掺杂区分别位于所述栅极结构的两侧，所述第一晕环注入区和所述第二晕环注入区分别位...
【专利技术属性】
技术研发人员：张卫民，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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