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本公开是关于一种半导体结构及半导体的制作方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括有源区，有源区包括源极区、漏极区以及源极区和漏极区之间的沟道区；栅极结构，设置于沟道区上；第一间隔件层；第二间隔件层，第一间隔件层和第二间隔件层共同覆盖栅极结构的侧...
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