【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计，特别是涉及一种共本振芯片、级联结构及工作方法。
技术介绍
1、当前，毫米波在通信和雷达领域得到广泛的关注，并已成为这两个领域的关键技术。众所周知，毫米波频段的通信芯片或雷达芯片的输出功率较低，为了进一步提升系统eirp(有效全向辐射功率)、接收snr(信噪比)、mimo(多输入多输出)通道数等，常采用多颗芯片在封装或pcb上进行本振级联。
2、传统两颗芯片的共本振级联方案中，每颗芯片需要两组信号pad分别和两组匹配网络连接实现共本振，这不利于芯片面积和成本的降低。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种共本振芯片、级联结构及工作方法，用于解决现有共本振级联方案不利于降低芯片面积和成本的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种共本振芯片，包括本振提供模块、驱动模块、复用匹配网络、本振选择模块、输出匹配网络及复用传输端口；其中：
3、所述本振提供模块用于提供内部本振信号；
4、所述驱动模块与所述本振提供模块相连，用于在开启时传输所述内部本振信号；
5、所述复用匹配网络与所述驱动模块相连，用于将所述内部本振信号经所述复用
6、所述本振选择模块与所述本振提供模块和所述复用匹配网络相连，用于从所述内部本振信号和所述外部本振信号中选择一路输出，并经所述输出匹配网络生成芯片本振信号。
7、可选地，所述本振提供模块包括锁相环、第一缓冲器及第二缓冲器，所述锁相环用于生成所述内部本振信号，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器分别与所述锁相环相连，用于将所述内部本振信号分两路输出。
8、可选地，所述驱动模块包括第一mos管、第二mos管、第三mos管及第四mos管；
9、所述第一mos管和所述第二mos管的栅端与所述本振提供模块相连，所述第一mos管和所述第二mos管的源端接地，所述第一mos管的漏端连接所述第三mos管的源端，所述第二mos管的漏端连接所述第四mos管的源端；
10、所述第三mos管的栅端连接第一偏置电压，所述第四mos管的栅端连接第二偏置电压，所述第三mos管和所述第四mos管的漏端作为所述驱动模块的输出端。
11、可选地，所述复用匹配网络包括第一变压器、第一电容及第二电容；
12、所述第一变压器中第一边线圈的两端分别与所述驱动模块和所述本振选择模块相连，所述第一电容并联于所述第一变压器中所述第一边线圈的两端；
13、所述第一变压器中第二边线圈的一端与所述复用传输端口相连，另一端接地，所述第二电容并联于所述第一变压器中所述第二边线圈的两端。
14、可选地，所述本振选择模块包括内部本振单元及外部本振单元，所述内部本振单元包括第五mos管、第六mos管、第七mos管及第八mos管，所述外部本振单元包括第九mos管、第十mos管、第十一mos管及第十二mos管；
15、所述第五mos管和所述第六mos管的栅端与所述本振提供模块相连，所述第五mos管和所述第六mos管的源端接地，所述第五mos管的漏端连接所述第七mos管的源端，所述第六mos管的漏端连接所述第八mos管的源端；
16、所述第九mos管和所述第十mos管的栅端与所述复用匹配网络相连，所述第九mos管和所述第十mos管的源端接地，所述第九mos管的漏端连接所述第十一mos管的源端，所述第十mos管的漏端连接所述第十二mos管的源端；
17、所述第七mos管的栅端连接第三偏置电压，所述第八mos管的栅端连接第四偏置电压，所述第十一mos管的栅端连接第五偏置电压，所述第十二mos管的栅端连接第六偏置电压，所述第七mos管的漏端连接所述第十一mos管的漏端且所述第八mos管的漏端连接所述第十二mos管的漏端并作为所述本振选择模块的输出端。
18、可选地，所述外部本振单元还包括第三电容及第四电容，其中，所述第九mos管和所述第十mos管的栅端分别经所述第三电容和所述第四电容与所述复用匹配网络相连。
19、可选地，所述输出匹配网络包括第二变压器、第五电容及第六电容；
20、所述第二变压器中第一边线圈的两端与所述本振选择模块的输出端相连，所述第五电容并联于所述第二变压器中所述第一边线圈的两端；
21、所述第二变压器中第二边线圈的两端作为所述输出匹配网络的输出端，所述第六电容并联于所述第二变压器中所述第二边线圈的两端。
22、本专利技术还提供一种共本振芯片级联结构，包括两个如上所述的共本振芯片，各所述共本振芯片的所述复用传输端口彼此相连。
23、可选地，各所述共本振芯片的所述复用传输端口通过封装互连结构或pcb走线进行互连。
24、本专利技术还提供一种如上所述的共本振芯片的工作方法，包括正常模式、主模式及从模式；其中：
25、在所述正常模式下，所述驱动模块关闭，所述本振选择模块选中所述内部本振信号；
26、在所述主模式下，所述驱动模块开启，所述本振选择模块选中所述内部本振信号；
27、在所述从模式下，所述驱动模块关闭，所述本振选择模块选中所述外部本振信号。
28、如上所述，本专利技术的共本振芯片、级联结构及工作方法，通过本振提供模块、驱动模块、复用匹配网络、本振选择模块、输出匹配网络及复用传输端口的设计，实现信号端口和匹配网络的复用，仅通过一个信号端口及对应的匹配网络即可实现两颗芯片的共本振级联；芯片面积紧凑、系统开销小、有利于降低成本，提升竞争力。
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1.一种共本振芯片，其特征在于，包括本振提供模块、驱动模块、复用匹配网络、本振选择模块、输出匹配网络及复用传输端口；其中：
2.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述本振提供模块包括锁相环、第一缓冲器及第二缓冲器，所述锁相环用于生成所述内部本振信号，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器分别与所述锁相环相连，用于将所述内部本振信号分两路输出。
3.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述驱动模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管；
4.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述复用匹配网络包括第一变压器、第一电容及第二电容；
5.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述本振选择模块包括内部本振单元及外部本振单元，所述内部本振单元包括第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管及第八MOS管，所述外部本振单元包括第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管及第十二MOS管；
6.根据权利要求5所述的共本振芯片，其特征在于，所述外部本振单元还包括第三电容及第四电容，其中，所述第九MO
7.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述输出匹配网络包括第二变压器、第五电容及第六电容；
8.一种共本振芯片级联结构，其特征在于，包括两个如权利要求1-7任意一项所述的共本振芯片，各所述共本振芯片的所述复用传输端口彼此相连。
9.根据权利要求8所述的共本振芯片级联结构，其特征在于，各所述共本振芯片的所述复用传输端口通过封装互连结构或PCB走线进行互连。
10.一种如权利要求1-7任意一项所述的共本振芯片的工作方法，其特征在于，包括正常模式、主模式及从模式；其中：
...【技术特征摘要】
1.一种共本振芯片，其特征在于，包括本振提供模块、驱动模块、复用匹配网络、本振选择模块、输出匹配网络及复用传输端口；其中：
2.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述本振提供模块包括锁相环、第一缓冲器及第二缓冲器，所述锁相环用于生成所述内部本振信号，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器分别与所述锁相环相连，用于将所述内部本振信号分两路输出。
3.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述驱动模块包括第一mos管、第二mos管、第三mos管及第四mos管；
4.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述复用匹配网络包括第一变压器、第一电容及第二电容；
5.根据权利要求1所述的共本振芯片，其特征在于，所述本振选择模块包括内部本振单元及外部本振单元，所述内部本振单元包括第五mos管、第六mos管、第七mos管及第八mos管，所述外部本振...
【专利技术属性】
技术研发人员：林水洋，宋颖，崔科技，
申请(专利权)人：隔空微电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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