【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种高精度逐次逼近型saradc中的数字校准方法、装置以及模数转换器。
技术介绍
1、目前，我国半导体集成电路行业领域迅猛发展，为满足应用需求，各种类型的芯片类型被研究开发。adc芯片作为现实世界中的将模拟信号转换为数字信号的桥梁，在现代集成电路设计中，应用越来越广泛。在adc分类中，主要分为奈奎斯特型adc和非奈奎斯特型(过采样型)adc，奈奎斯特型adc主要有逐次逼近型saradc，flash型adc和pipeline流水线型adc等结构，非奈奎斯特型(过采样型)adc主要有常见的δ∑型adc。其中逐次逼近型saradc以其功耗低，面积小，结构简单，易于理解等多种优点，以及在多通道应用下不占用太多的功耗，面积等而成为近年来该领域的研究热点。
2、在adc芯片的诸多指标中，通常精度和线性度指标又是限制决定adc芯片应用范围的主要因素。
3、在半导体工艺中，器件的随机失配是不可避免的存在，区别于器件的系统失配，可以通过优化版图，比如采用共质心等方法解决或降低其影响。器件...
【技术保护点】
1.一种高精度逐次逼近型SARADC中的数字校准方法，其特征在于，应用于14bit精度的SARADC，其采用分段结构的电容阵列，该电容阵列包括：在LSB段以及MSB段中从低到高位依次设置的多个分段电容，所述方法包括：
2.根据权利要求1中所述的高精度逐次逼近型SARADC中的数字校准方法，其特征在于，所述电容阵列还包括：桥接电容以及补偿电容；且各分段电容的下级板分别通过一二选一开关连接电源或接地。
3.根据权利要求2中所述的高精度逐次逼近型SARADC中的数字校准方法，其特征在于，所述14bit精度的SARADC还包括：比较器、控制开关以及数字
<...【技术特征摘要】
1.一种高精度逐次逼近型saradc中的数字校准方法，其特征在于，应用于14bit精度的saradc，其采用分段结构的电容阵列，该电容阵列包括：在lsb段以及msb段中从低到高位依次设置的多个分段电容，所述方法包括：
2.根据权利要求1中所述的高精度逐次逼近型saradc中的数字校准方法，其特征在于，所述电容阵列还包括：桥接电容以及补偿电容；且各分段电容的下级板分别通过一二选一开关连接电源或接地。
3.根据权利要求2中所述的高精度逐次逼近型saradc中的数字校准方法，其特征在于，所述14bit精度的saradc还包括：比较器、控制开关以及数字逻辑电路；
4.根据权利要求3中所述的高精度逐次逼近型saradc中的数字校准方法，其特征在于，通过执行采样控制操作对每个需要评估的分段电容进行实际权重评估；
5.根据权利要求1中所述的高精度逐次逼近型saradc中的数字校准方法，其特征在于，电容阵列中具有根据需求设置的至少一冗余位电容，且除冗...
【专利技术属性】
技术研发人员：林水洋，刘然然，姚宇波，
申请(专利权)人：隔空微电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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