【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及存储装置及其制造方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。
3、三维(3d)存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置。半导体装置可以包括：交替的绝缘层和字线层的堆叠结构；堆叠结构之上的第一顶部选择栅极(tsg)层；以及延伸穿过第一tsg层的分离结构，其中第一tsg层可以被所述分离结构划分成第一子tsg层和第二子tsg层。半导体装置可以包括设在第一子tsg层和分离结构之间以及第二子tsg层和分离结构之间的导电层。
2、半导体装置还可以包括延伸穿过堆叠结构的第一沟道结构和延伸穿过第一tsg层的第二沟道结构。第二沟道结构可以设在第一沟道结构之上并且...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一沟道结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二沟道结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电层包括金属硅化物。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括：
10....
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一沟道结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第二沟道结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电层包括金属硅化物。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述多个台阶包括形成在所述第一tsg层和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：高庭庭，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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