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根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置。该半导体装置包括交替的绝缘层和字线层的堆叠结构、在堆叠结构之上的第一顶部选择栅极(TSG)层以及延伸穿过第一TSG层的分离结构，其中第一TSG层被分离结构划分为第一子TSG层和第二子TSG层。半导体...
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