光电器件的处理方法、光电器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种光电器件的处理方法、光电器件及显示装置。本申请的光电器件的处理方法，包括提供光电器件，其中，所述光电器件包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层和阳极，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂元素；对所述光电器件施加反向电压。通过对具有掺杂的材料的电子传输层的光电器件施加反向电压，实现齐纳击穿，齐纳击穿对包括电子传输层在内的半导体膜层的作用具有可恢复性，而对阴极与电子传输层之间的界面影响却依然存在，在不影响光电器件性能的前提下，从而去除正老化，提高光电器件的性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件的处理方法、光电器件及显示装置。

技术介绍

1、qled(quantum dots light-emitting diode,量子点发光器件)是一种新兴的显示器件，结构与oled(organic light-emitting diode，有机发光显示器)相似，即由空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。对比oled，qled的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质,尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料,胶体法制备的量子点具有光谱可调,发光强度大、色纯度高、荧光寿命长，单光源可激发多色荧光等优势。此外，qled的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。qled是基于无机半导体量子点的电致发光，理论上说，无机半导体量子点的稳定性要高于有机小分子及聚合物；另一方面，由于量子限域效应，使得量子点材料的发光线宽更小，从而使其具有更好的色纯度。目前，qled的发光效率已经基本达到商业化的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电器件的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述反向电压大于0V且小于等于6V。

3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述施加反向电压为持续施加；和/或

4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述对所述光电器件施加反向电压，包括：

5.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述对所述光电器件施加反向电压，包括：

6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述微波处理的功率为0.5KW-1.2KW，频率为800MHz-3000MHz，时间为15s-30s。

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【技术特征摘要】

1.一种光电器件的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述反向电压大于0v且小于等于6v。

3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述施加反向电压为持续施加；和/或

4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述对所述光电器件施加反向电压，包括：

5.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述对所述光电器件施加反向电压，包括：

6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：