【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
技术介绍
1、随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性稳步增加。相应地，已开发出各种类型的显示装置，诸如液晶显示(lcd)装置和有机发光二极管(oled)显示装置等。
2、在显示装置当中，自发光显示装置包括诸如有机发光元件的自发光元件。自发光元件可以包括两个相对的电极以及介于该两个相对的电极之间的发光层。在将有机发光元件用作自发光元件的情况下，来自两个电极的电子和空穴在发光层中复合以产生激子，该激子在从激发态跃迁到基态时发光。
3、自发光显示装置作为下一代显示装置备受关注，因为自发光显示装置能够满足诸如宽视角、高亮度和对比度以及快速响应速度的高显示质量要求，而且具有低功耗，并且由于不需要诸如背光单元的独立光源而是轻型的且薄的。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种显示装置，在该显示装置中，通过使半导体层导电并使半导体层与设置在半导体层之下的导电层接触来减少不必要的导电层的数量。
2、本公开的方面还提供了一种制造显示装置的方法，在该显示装置中，通过使半导体层导电并使半导体层与设置在半导体层之下的导电层接触来减少不必要的导电层的数量。
3、一种显示装置的实施例包括：第一基底部分；第一导电层，在第一基底部分上，包括下阻光层和与下阻光层间隔开的下布线；缓冲层，设置在第一导电层上；半导体层，设置在缓冲层上，并且包括第一区域、在第一区域的一侧的第二区域和在第一区域的另一侧的第三区域；栅绝缘层，在半
4、半导体层可以包括氧化物半导体层。
5、第二区域和第三区域中的每个可以包含硼(b)或氩(ar)。
6、下阻光层可以在厚度方向上与半导体层重叠。
7、第二导电层可以进一步包括与第三区域重叠的第一连接电极。
8、第一连接电极可以直接连接到第三区域和下布线。
9、第三区域可以连接到第一连接电极和下布线。
10、显示装置可以进一步包括：发光元件，包括在第二导电层上的第一电极、在第一电极上的第二电极和在第一电极与第二电极之间的发光层。
11、第一连接电极可以直接连接到第一电极。
12、发光元件可以包括：在第二导电层上的第一电极、在第一电极上的第二电极和在第一电极与第二电极之间的发光层。
13、第三区域可以直接连接到第一电极。
14、第一导电层可以进一步包括第一子电容电极，并且第二导电层进一步包括与第一子电容电极重叠的第二子电容电极。
15、半导体层可以进一步包括第二电容电极，并且第二电容电极具有比第一区域的导电率高的导电率。
16、第二电容电极可以与第一子电容电极和第二子电容电极中的每个重叠。
17、第一子电容电极和第二子电容电极中的每个可以与第二电容电极形成电容器。
18、一种显示装置的实施例，包括：第一基底部分；第一导电层，在第一基底部分上，包括下阻光层和与下阻光层间隔开的下布线；缓冲层，设置在第一导电层上；半导体层，设置在缓冲层上，并且包括第一区域、在第一区域的一侧的第二区域和在第一区域的另一侧的第三区域；栅绝缘层，在半导体层上；以及第二导电层，在栅绝缘层上，包括与第一区域重叠的栅电极、与第三区域重叠的第一连接电极和与第二区域重叠的第二连接电极，其中，第二区域和第三区域中的每个的导电率高于第一区域的导电率，第二区域连接到下阻光层，并且第三区域电连接到下布线。
19、半导体层可以包括氧化物半导体层。
20、第二区域和第三区域中的每个可以包含硼(b)或氩(ar)。
21、第二区域可以通过第二连接电极电连接到下阻光层，并且第三区域通过第一连接电极电连接到下布线。
22、半导体层可以进一步包括在第一区域与第二区域之间的第四区域以及在第一区域与第三区域之间的第五区域，并且第四区域和第五区域中的每个的导电率高于第二区域和第三区域的导电率。
23、一种制造显示装置的方法的实施例包括：在第一基底部分上形成第一导电层，该第一导电层包括下阻光层、与下阻光层间隔开的下布线和与下布线间隔开的第一子电容电极；形成缓冲层，该缓冲层设置在第一导电层上；在缓冲层上形成半导体层；在半导体层上设置第一光致抗蚀剂层；使用第一光致抗蚀剂层蚀刻半导体层，以形成半导体图案以及第二电容电极，该半导体图案包括第一目标区域、在第一目标区域的一侧的第二目标区域和在第一目标区域的另一侧的第三目标区域；蚀刻第一光致抗蚀剂层，使得剩余的第一光致抗蚀剂层仅覆盖第一目标区域；并且通过在剩余的第一光致抗蚀剂层的外部注入离子，使第二目标区域、第三目标区域和第二电容电极导电。
24、制造方法可以进一步包括：在使第二目标区域、第三目标区域和第二电容电极导电之后，去除第一光致抗蚀剂层，并且在半导体图案和第二电容电极上形成栅绝缘层。
25、在形成栅绝缘层之后，使用第二光致抗蚀剂层来形成包括与第一目标区域重叠的栅电极、与第三目标区域重叠的第一连接电极和与第二电容电极重叠的第二子电容电极的第二导电层。
26、在形成第二导电层之后，通过在与栅电极重叠的第二光致抗蚀剂层的外部注入离子来使第一目标区域的与第二目标区域和第三目标区域中的每个邻近的部分导电，以将第一目标区域形成为第一区域，将第二目标区域形成为第二区域，并且将第三目标区域形成为第三区域。
27、第二区域可以电连接到下阻光层，并且第三区域电连接到下布线。
28、制造方法可以进一步包括：在形成栅绝缘层之后，使用第二光致抗蚀剂层来形成包括与第一目标区域重叠的栅电极、与第三目标区域重叠的第一连接电极、与第二目标区域重叠的第二连接电极和与第二电容电极重叠的第二子电容电极的第二导电层。
29、在形成第二导电层之后，使用与栅电极、第一连接电极和第二连接电极重叠的第二光致抗蚀剂层来使第一目标区域的与第二目标区域和第三目标区域中的每个邻近的部分导电，以形成第一区域至第五区域。
30、第二区域可以通过第二连接电极电连接到下阻光层，并且第三区域通过第一连接电极电连接到下布线。
31、然而，本公开的方面不限于本文中阐述的方面。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上以及其他方面对本公开所属领域的普通技术人员将变得更显而易见。
32、根据本公开的实施例，可以提供一种显示装置和制造该显示装置的方法，在该显示装置中，通过使半导体层导电并使半导体层与设置在半导体层之下的导电层接触来减少导电层的数量。
33、然而，本公开的效果不限于上述效果，并且各种其他效果被包括在本公开中。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：
7.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述半导体层进一步包括在所述第一区域与所述第二区域之间的第四区域以及在所述第一区域与所述第三区域之间的第五区域，并且所述第四区域和所述第五区域中的每个的导电率高于所述第二区域和所述第三区域的所述导电率。
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：
7.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李光洙，金昭娟，金贤，尹甲洙，李禹根，崔昇夏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：
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