【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及例如在半导体晶片制造中使用的反应器系统。更具体地，本专利技术涉及通过对基座周围的各种部件提供主动加热来改善基座上的温度分布的系统和设备。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，在基座和/或晶片的边缘会发生热损失。基座和/或晶片上不均匀的温度分布可能导致沉积不均匀和/或晶片的电特性差。
技术实现思路
1、本技术的各种实施例可以提供用于反应室的系统和设备。该系统和设备可以包含反应室，其具有设置在反应室的下室和喷淋头之间的间隔件板。主动加热元件可以嵌入间隔件板内。邻近间隔件板设置的流量控制环通过来自间隔件板加热元件的传导被加热。
2、在一实施例中，一种反应室包括：内部空间，其由侧壁、联接到侧壁的底部面板以及与底部面板相对布置并联接到侧壁的喷淋头限定，其中侧壁包括面向内部的表面，该表面形成具有第一周长的圆形形状；间隔件板，其集成在侧壁中并包括加热元件，并且包括从侧壁向外延伸并进入内部空间的唇缘，该唇缘沿着侧壁的面向内部的表面的整个第一周长延伸；以及定位成与间隔件板直接接触的流量控制环，其中流量控制环沿着间隔件板的整个外边缘延伸。
3、在另一实施例中，一种反应室包括：内部空间，其由侧壁、联接到侧壁的底部面板以及与底部面板相对布置并联接到侧壁的喷淋头限定，其中侧壁包括面向内部的表面，该表面形成具有第一周长的圆形形状；间隔件板，其从侧壁的面向内部的表面延伸到内部空间中并具有第二周长；加热元件，其嵌入在间隔件板内；以及流量控制环，其定位成与间隔件板直接接触，其中流
4、在又一实施例中，一种系统，包括：包括内部空间的反应室，该内部空间由以下限定：侧壁，其包括形成具有第一周长的圆形形状的面向内部的表面；底部面板，其联接到侧壁；和喷淋头，其布置成与底部面板相对并联接到侧壁；间隔件板，其从侧壁的面向内部的表面延伸到内部空间中，其中间隔件板沿着侧壁的面向内部的表面的整个第一周长延伸；加热元件，其嵌入在间隔件板内；流量控制环，其定位成与间隔件板直接接触，其中流量控制环从间隔件板的外边缘延伸到内部空间中，并且具有第二周长；基座，其设置在内部空间中并邻近流量控制环，该基座包括顶面；以及盖，其设置在基座的顶面上并完全覆盖顶面，其中盖邻近流量控制环并与其间隔开。
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1.一种反应室，包括：
2.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件嵌入在所述间隔件板内。
3.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述流量控制环从所述间隔件板向外延伸并进入所述内部空间。
4.根据权利要求3所述的反应室，其中，所述流量控制环的周长小于所述间隔件板的周长。
5.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述流量控制环与所述间隔件直接接触。
6.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件包括电阻加热元件。
7.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件是沿着所述间隔件板的整个周长延伸的单个元件。
8.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件包括多个加热元件，其中加热元件彼此等距间隔。
9.根据权利要求8所述的反应室，其中，每个加热元件配置为相对于其他加热元件被独立控制。
10.一种反应室，包括：
11.根据权利要求10所述的反应室，其中，所述加热元件是沿着所述间隔件板的整个周长延伸的单个元件。
12.根据权利要求10所述的反应
13.根据权利要求12所述的反应室，其中，每个加热元件配置为相对于其他加热元件被独立控制。
14.根据权利要求10所述的反应室，其中，所述加热元件包括电阻加热元件。
15.一种系统，包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述加热元件是沿着整个第一周长延伸的单个元件。
17.根据权利要求15所述的系统，其中，所述加热元件包括多个加热元件，其中加热元件彼此等距间隔。
18.根据权利要求17所述的系统，其中，每个加热元件配置为相对于其他加热元件被独立控制。
19.根据权利要求15所述的系统，其中，所述流量控制环的第二周长小于所述侧壁的第一周长。
20.根据权利要求15所述的系统，其中，所述加热元件包括电阻加热元件。
...【技术特征摘要】
1.一种反应室，包括：
2.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件嵌入在所述间隔件板内。
3.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述流量控制环从所述间隔件板向外延伸并进入所述内部空间。
4.根据权利要求3所述的反应室，其中，所述流量控制环的周长小于所述间隔件板的周长。
5.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述流量控制环与所述间隔件直接接触。
6.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件包括电阻加热元件。
7.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件是沿着所述间隔件板的整个周长延伸的单个元件。
8.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述加热元件包括多个加热元件，其中加热元件彼此等距间隔。
9.根据权利要求8所述的反应室，其中，每个加热元件配置为相对于其他加热元件被独立控制。
10.一种反应室，包括：
11.根据权利要求10所述的反应室，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·西马达达西尔瓦，M·施莫策，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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