【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及外延晶圆制备方法和外延晶圆制备系统。
技术介绍
1、外延晶圆通过在例如抛光的衬底硅片上生长外延层而获得。相比于衬底硅片，外延晶圆具有表面缺陷少、结晶性优异、电阻率可控等特性，被广泛应用于高集成化的ic元件和mos制程。
2、随着半导体工艺的不断发展，对于外延晶圆的平坦度特别是边缘平坦度的要求越来越严格。由于外延晶圆的边缘平坦度取决于衬底硅片的边缘形貌和外延层的边缘形貌，理想状态下，可以通过使外延层与衬底硅片的边缘形貌完全匹配来获得边缘平坦度良好的外延晶圆。
3、然而，受抛光工序的加工条件限制，在现有良品率的情况下，衬底硅片的边缘平坦度并不一致，而是在一定范围内变动。如果使用相同的外延生长菜单进行外延层生长，则难以保证外延层的边缘形貌与衬底硅片的边缘形貌匹配，导致所形成的外延晶圆的边缘平坦度波动较大，从而使外延晶圆的品质不稳定。
技术实现思路
1、本部分提供本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。
2、本公开的目的在于提供一种能够在保证现有良品率的同时降低外延晶圆的边缘平坦度波动的外延晶圆制备方法和系统。
3、为了实现上述目的，根据本公开的一方面，提供了一种外延晶圆制备方法，其包括：
4、根据由预定为合格的esfqd值范围划分而来的多个不同的esfqd值范围将待生长外延的硅片划分成对应多个不同的类型；
5、根据所述对应多个不同的类型将硅片分选至对应多个不同
6、针对所述对应多个不同的载具使用对应多个不同的外延生长菜单，其中，通过外延生长菜单生长的外延层的边缘形貌与相应类型的硅片的边缘形貌能够匹配。
7、在一些实施方式中，所述多个不同的esfqd值范围可以为两个esfqd值范围。
8、在一些实施方式中，所述多个不同的esfqd值范围可以为在-40nm至10nm的范围内划分出的多个不同的esfqd值范围。
9、在一些实施方式中，所述多个不同的esfqd值范围可以包括第一范围，第一范围为大于或等于-15nm且小于或等于10nm，并且使用第一外延生长菜单对esfqd值处于第一范围的硅片进行外延生长，其中，通过第一外延生长菜单生长的外延层的边缘形貌为水平的。
10、在一些实施方式中，第一范围可以为大于或等于-10nm且小于或等于10nm。
11、在一些实施方式中，所述多个不同的esfqd值范围还可以包括第二范围，第二范围为大于或等于-40nm且小于-15nm，并且使用第二外延生长菜单对esfqd值处于第二范围的硅片进行外延生长，其中，通过第二外延生长菜单生长的外延层的边缘形貌与esfqd值处于-30nm至-25nm的范围内的硅片的边缘形貌匹配。
12、在一些实施方式中，所述多个不同的esfqd值范围还可以包括在第一范围之外的范围内划分出的多个不同的范围。
13、在一些实施方式中，还可以包括在将硅片划分成所述对应多个不同的类型之后，分选出不合格的硅片以进行返工或报废。
14、在一些实施方式中，所述对应多个不同的类型可以通过mes进行标记，并且根据标记将硅片分选至所述对应多个不同的载具。
15、根据本公开的一方面，提供了一种外延晶圆制备系统，其包括：
16、分类单元，根据由预定为合格的esfqd值范围划分而来的多个不同的esfqd值范围将待生长外延的硅片划分成对应多个不同的类型；
17、分选单元：根据所述对应多个不同的类型将硅片分选至对应多个不同的载具；以及
18、生长单元：针对所述对应多个不同的载具使用对应多个不同的外延生长菜单，其中，通过外延生长菜单生长的外延层的边缘形貌与相应类型的硅片的边缘形貌能够匹配。
19、根据上述技术方案，通过将现有良品率下esfqd值在较大范围内波动的硅片根据多个不同的esfqd值范围进行分类并针对这些不同类型的硅片设计对应的不同的外延生长菜单，仅使用由单一外延生长菜单生长出的外延层的边缘形貌就能够匹配同一类型的硅片的边缘形貌，并由此能够使所有类型的硅片的边缘形貌都得到匹配，从而能够在保证现有良品率的同时，提高整体外延晶圆的边缘平坦度，并降低外延晶圆的边缘平坦度波动，由此提高外延晶圆品质的稳定性。
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1.一种外延晶圆制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的ESFQD值范围为两个ESFQD值范围。
3.根据权利要求1所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的ESFQD值范围为在-40nm至10nm的范围内划分出的多个不同的ESFQD值范围。
4.根据权利要求3所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的ESFQD值范围包括第一范围，所述第一范围为大于或等于-15nm且小于或等于10nm，并且使用第一外延生长菜单对ESFQD值处于所述第一范围的所述硅片进行外延生长，其中，通过所述第一外延生长菜单生长的外延层的边缘形貌为水平的。
5.根据权利要求4所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述第一范围为大于或等于-10nm且小于或等于10nm。
6.根据权利要求4所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的ESFQD值范围还包括第二范围，所述第二范围为大于或等于-40nm且小于-15nm，并且使用第二外延生长菜单对ESFQD值处于所述第二范围的所述硅片
7.根据权利要求4或5所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的ESFQD值范围还包括在所述第一范围之外的范围内划分出的多个不同的范围。
8.根据权利要求1所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，还包括在将所述硅片划分成所述对应多个不同的类型之后，分选出不合格的硅片以进行返工或报废。
9.根据权利要求1所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述对应多个不同的类型通过MES进行标记，并且根据所述标记将所述硅片分选至所述对应多个不同的载具。
10.一种外延晶圆制备系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种外延晶圆制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的esfqd值范围为两个esfqd值范围。
3.根据权利要求1所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的esfqd值范围为在-40nm至10nm的范围内划分出的多个不同的esfqd值范围。
4.根据权利要求3所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多个不同的esfqd值范围包括第一范围，所述第一范围为大于或等于-15nm且小于或等于10nm，并且使用第一外延生长菜单对esfqd值处于所述第一范围的所述硅片进行外延生长，其中，通过所述第一外延生长菜单生长的外延层的边缘形貌为水平的。
5.根据权利要求4所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述第一范围为大于或等于-10nm且小于或等于10nm。
6.根据权利要求4所述的外延晶圆制备方法，其特征在于，所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙毅，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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