一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法，包括：第一铁电层、第二铁电层、第一隧穿栅、第二隧穿栅、控制栅、第一介质层、第二介质层、源极、源区、第一沟道区、阻挡层、第二沟道区、漏区、漏极、鳍型沟道区。本发明专利技术在隧穿栅内侧加入了铁电层，可以降低器件的体因子，从而降低器件的亚阈值摆幅；并且铁电层的存在还可以增大栅极表面电势，进而放大栅压并增强鳍型沟道区中的内建电场，最终达到提升器件的开启速度和开态电流的目的。此外，本发明专利技术第二隧穿栅和控制栅构成异质栅结构，可以抑制底部第二沟道区和漏区之间的点隧穿；同时，阻挡层的存在可以抑制源漏直接隧穿，从而达到提升器件的开关比和降低关态电流的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管的，尤其涉及一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法。

技术介绍

1、随着科技的发展，云计算、大数据处理及实时数据传输逐渐普及并应用在不同领域。为了满足不同应用的需求，需要集成电路具有超低功耗和高性能。然而，集成电路的核心器件—金属氧化物半导体场效应晶体管，受限于其亚阈值摆幅极限，阻碍着集成电路继续遵循摩尔定律发展。

2、隧穿场效应晶体管，作为一种陡峭亚阈值摆幅器件，可以突破金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆幅极限，因其静态功耗低、兼容cmos工艺而受到广泛关注。

3、但隧穿场效应晶体管有如下技术问题：隧穿场效应晶体管的开态电流过低，影响着器件的开态性能。虽然其中一种电子空穴双层隧穿场效应晶体管可以在通过栅极功函数或偏压诱导方法形成的电子空穴双层中产生平行于栅极电场的垂直线隧穿，来提升开态电流。但开态电流与栅极重叠面积成正比，在提升开态电流的同时会增加栅极重叠，进而扩大整个晶体管的面积。

技术实现思路

1、本专利技术提出一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：第一铁电层、第二铁电层、第一隧穿栅、第二隧穿栅、控制栅、第一介质层、第二介质层、源极、源区、第一沟道区、阻挡层、第二沟道区、漏区、漏极、鳍型沟道区；

2.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一铁电层的材质为铪镐氧；

3.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一介质层的材质为二氧化铪；

4.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极的材质为铜金属；

5.根据权利要求1所述的鳍型电子空...

【技术特征摘要】

1.一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：第一铁电层、第二铁电层、第一隧穿栅、第二隧穿栅、控制栅、第一介质层、第二介质层、源极、源区、第一沟道区、阻挡层、第二沟道区、漏区、漏极、鳍型沟道区；

2.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一铁电层的材质为铪镐氧；

3.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一介质层的材质为二氧化铪；

4.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极的材质为铜金属；

5.根据权利要求1所述的鳍型电子空穴双层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘虎，李佩锋，周晓瑜，李余斌，潘磊，王鹏宇，
申请(专利权)人：兰州交通大学，
类型：发明
国别省市：