本公开提供了一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质；该方法包括：从待测外延晶圆表面的激光粒子扫描图像中获取所述待测外延晶圆表面的缺陷图像；根据所述缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度以及图像放大比例从所述激光粒子扫描图像中确定所述待测外延晶圆表面存在的线性缺陷。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质。
技术介绍
1、作为半导体器件的制造工序中所使用的基板，硅晶圆等由半导体构成的晶圆被广泛地使用。作为这种晶圆，已知有对单晶锭进行切片并进行镜面研磨、清洗等流程而成的拋光晶圆(pw晶圆)，以及在pw晶圆表面通过化学气相沉积等方式形成具有单晶硅外延层从而得到外延晶圆。
2、由于高性能芯片对基板品质的要求不断提升，针对外延晶圆的缺陷检测逐渐变得极为重要。一方面，准确的缺陷检测不仅能够为外延晶圆的生产过程提出生产指导以提高生产过程的良率；另一方面，在制作半导体器件之前进行准确的检测缺陷，能够提高在半导体器件的制造工序中提高半导体器件的成品率和可靠性。
技术实现思路
1、本公开提供了一种外延晶圆的线性缺陷检测方法、装置及存储介质；能够提高外延晶圆表面的线性缺陷检出率。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开提供了一种外延晶圆的线性缺陷检测方法，所述方法包括：
>4、从待测外延晶圆本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种外延晶圆的线性缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述历史外延晶圆表面存在的线型缺陷确定图像放大比例阈值、缺陷角度阈值和长度阈值，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度以及图像放大比例从所述激光粒子扫描图像中确定所述待测外延晶圆表面存在的线性缺陷，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种外延晶圆的线性缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述历史外延晶圆表面存在的线型缺陷确定图像放大比例阈值、缺陷角度阈值和长度阈值，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度以及图像放大比例从所述激光粒子扫描图像中确定所述待测外延晶圆表面存在的线性缺陷，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述待测外延晶圆表面的缺陷图像中所呈现的缺陷角度、长度...
【专利技术属性】
技术研发人员：林可，马强强，高坤，李康康，柯希恒，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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