【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及测量外延层厚度的方法、系统及存储介质。
技术介绍
1、以抛光晶圆为衬底生长一层单晶薄膜称为外延晶圆，新生长的单晶薄膜称为外延层。相比抛光晶圆，外延晶圆具有表面缺陷少、结晶性优异和电阻率可控的特性，被广泛用于高集成化的ic元件和mos制程。通常而言，外延层的厚度作为外延晶圆的重要参数，对后道工艺具有直接影响，例如影响电压特性。因此，外延层厚度测量的准确性和稳定性具有重要意义。
2、目前，广泛地采用红外反射测量法例如采用红外光谱仪对外延层厚度进行测量。红外光谱仪是利用红外光穿透物质时的吸收、反射、干涉等效应实现非接触式测量薄膜类材料的厚度。在测量前，需要通过在重掺杂的衬底上沉积轻掺杂的外延层来获得测量样品。样品测量后可以得到反映外延层厚度的光谱曲线，以光谱曲线的特征波段上的光信号最强的数据点作为取值数据点来确定外延层厚度。
3、然而，在实际测量过程中，对相同样品重复测量得到的光谱曲线的特征波段上的确定外延层厚度的取值数据点不唯一，导致测量结果波动，使得外延层厚度测量结果不准确。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种测量外延层厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，所述获取至少三个数据点，包括：
3.根据权利要求2所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，所述至少三个数据点的数量为三个。
4.根据权利要求3所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，三个所述数据点中的至少一个数据点与所述极值点之间不存在另外的所述离散点。
5.根据权利要求3所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，三个所述数据点中的两个数据点与所述极值点之间都不存在另外的所述离散点。
6.一种用于...
【技术特征摘要】
1.一种测量外延层厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，所述获取至少三个数据点，包括：
3.根据权利要求2所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，所述至少三个数据点的数量为三个。
4.根据权利要求3所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，三个所述数据点中的至少一个数据点与所述极值点之间不存在另外的所述离散点。
5.根据权利要求3所述的测量外延层厚度的方法，其特征在于，三个所述数据点中的两个数据点与所述极值点之间都不存在另外的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙毅，请求不公布姓名，韩喜盈，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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