【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质。
技术介绍
1、晶圆是制作集成电路的重要材料，通过对晶圆进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。众所周知，由晶圆制成的半导体器件有着惊人的运算能力。随着自动化技术和计算机技术的飞速发展，由晶圆制成的半导体器件的应用范围越来越广，目前已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防等各个领域。当然，随着晶圆在各行各业的广泛应用，对晶圆的质量要求也日益严苛。可以理解地，晶圆的任何细微差异都会影响到晶圆的质量，进而影响由晶圆制成的半导体器件的功能。
2、随着先进制程的发展，现有规格下认为表面为平面的晶圆在更高规格下并不表现为平面，该晶圆的表面是具有地形变化的，在这种情况下该晶圆表面向内物质传递和能量传递是不均匀的，进而制约了该晶圆应用于更小线宽的先进制程。因此在实际中需要对晶圆表面的地形进行调整以通过提高晶圆表面的平坦度来提升晶圆表面向内物质传递和能量传递的均匀性，从而降低良率损失。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种调整晶圆的参数的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采样方法，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用菲索相移干涉法，红外法或者电容法获取所述每个采样点处的高度变化数据。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述每个采样点所对应的高度变化数据，获取所述每个采样点处的高度梯度，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所有采样点处的高度梯度，将所述待测晶圆旋转设定的角度，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种调整晶圆的参数的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采样方法，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用菲索相移干涉法，红外法或者电容法获取所述每个采样点处的高度变化数据。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述每个采样点所对应的高度变化数据，获取所述每个采样点处的高度梯度，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所有采样点处的高度梯度，将所述待测晶圆旋转设定的角度，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述当所述待测晶圆的表面出现晶面转变时，将所述待测...
【专利技术属性】
技术研发人员：李安杰，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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