【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆上下料的系统、方法及计算机存储介质。
技术介绍
1、在半导体制造领域，晶圆的研磨过程是实现晶圆表面平坦化的关键步骤之一。传统的晶圆研磨（lapper）设备，由于上下研磨盘的开合高度仅有550mm，限制了设备的作业空间，导致机械臂的活动范围受限。由于lapper设备旁边的电柜和气柜布局，以及为了满足自动化的空间要求，上料port口的数量受到限制，通常只有一个，这影响了上下料的效率和空间利用率。
2、此外，lapper设备加工后的晶圆会存在研磨液残留，为了避免残留的研磨液对晶圆造成损害，通常会在lapper设备旁设置一晶圆清洗机，比如lec设备，以及时清洗晶圆表面残留的研磨液。但是，通常会在下料全部完成之后，再将晶圆转移至lec设备，这样会存在等待时间，仍然会造成残留的研磨液由于暴露在空气中而对晶圆产生损害。
技术实现思路
1、本公开提供了一种晶圆上下料的系统、方法及计算机存储介质；能够提高lapper设备的晶圆上下料效率和空间利用率，并且降低...
【技术保护点】
1.一种晶圆上下料的系统，其特征在于，所述晶圆上下料的系统应用于包括研磨设备和晶圆清洗设备的研磨系统，所述晶圆上下料的系统包括：设置于所述研磨设备上料口处的上料中转缓存机构、用于存放经所述研磨设备研磨后的晶圆且装盛有去离子水的下料水槽缓存机构、上料机械臂以及下料机械臂；其中，
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述下料机械臂，还被配置成：
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述上料机械臂，还被配置成：
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述上料机械臂，还被配置成：
5.根据权利要求1所述的系统，其...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆上下料的系统，其特征在于，所述晶圆上下料的系统应用于包括研磨设备和晶圆清洗设备的研磨系统，所述晶圆上下料的系统包括：设置于所述研磨设备上料口处的上料中转缓存机构、用于存放经所述研磨设备研磨后的晶圆且装盛有去离子水的下料水槽缓存机构、上料机械臂以及下料机械臂；其中，
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述下料机械臂，还被配置成：
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述上料机械臂，还被配置成：
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述上料机械臂，还被配置成：
5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：视觉定位设备，用于所述上料机械臂将待研磨晶圆转移至所述研磨设备的载盘前，采集载盘图像并生成定位补偿数据，以使得所述上料机械臂从所述上料中转缓存机构将待研磨晶圆取出后，结合所述定位补偿数据将所述待研磨晶圆放置于所述研磨设备的载盘内。
6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括平行机械臂，被配置成将所述研磨设备上料口处前开口统一吊舱foup内的待研磨晶圆转移至所述上料中转缓存机构。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述上料中转缓存机构包括晶圆缓存区以及晶圆矫正区；其中，所述晶圆缓存区用于缓存由foup转移的待研磨晶圆；所述晶圆矫正区包括矫正...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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