【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及一种半导体技术，更具体地，涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、电子器件的更高按比例缩小需要更高的集成度以及针对各种部件的更小空间和半导体器件的各种部件之间的更小空间。这些要求对半导体器件的设计者提出了重大挑战，并且需要开发用于制造半导体器件的新方法以确保半导体器件的各种部件的电可靠性，该电可靠性包括如可能需要的相邻结构之间的适当电连接或分离。
技术实现思路
1、本专利技术的各个实施例提供了一种具有改进的可靠性的半导体器件及其制造方法。
2、根据本专利技术的实施例，一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；多个导电线结构，该多个导电线结构设置在衬底之上；多个导电接触插塞，该多个导电接触插塞形成在导电线结构之间，这些导电线结构设置在衬底的第一区域之上；以及多个虚设电介质插塞，该多个虚设电介质插塞设置在衬底的第二区域之上。
3、根据本专利技术的实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成多个导电线结构；在导电线结构之间形成线状开口；在线状开口中填充第一间隙填充层；使第一间隙填充层暴露于后处理以形成无空隙的第一间隙填充层；在无空隙的第一间隙填充层之上形成第二间隙填充层；使第二间隙填充层平坦化以形成平行于导电线结构的线图案；通过对线图案进行刻蚀来形成多个接触插塞和多个隔离槽；在多个隔离槽中填充插塞隔离层；以及使接触插塞凹陷以形成凹陷的接触插塞。
4、根据本专利技术的实施例，一种制造半导体器件
5、由于本公开在形成接触插塞时按照沉积、激光退火、沉积以及平坦化的顺序进行，因此可以形成无空隙的接触插塞。
6、本专利技术的这些特征和其他特征以及优点可以从结合以下附图对本专利技术的具体实施例的以下详细描述中得到更好的理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述导电线结构之间的插塞隔离层，
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述插塞隔离层和所述虚设电介质插塞包括电介质材料。
4.如权利要求2所述的半导体器件，
5.如权利要求1所述的半导体器件，
6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括多层间隔件，所述多层间隔件形成在所述导电线结构的两侧壁上。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设电介质插塞的顶表面设置在比所述导电接触插塞的顶表面高的水平处。
8.如权利要求1所述的半导体器件，
9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘包括金属基材料。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述焊盘隔离层包括氧化硅、氮化硅、硅碳氮化物、氮化硼、或它们的组合。
12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述无空隙的第一间隙
14.如权利要求12所述的方法，其中，所述后处理包括激光退火。
15.如权利要求12所述的方法，其中，在所述导电线结构之间形成所述线状开口包括：
16.如权利要求12所述的方法，其中，通过对所述线图案进行刻蚀来形成所述多个接触插塞和所述多个隔离槽包括：
17.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
18.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述线图案包括：
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述无空隙的第一间隙填充层和所述第二间隙填充层包括多晶硅。
20.如权利要求18所述的方法，其中，所述后处理包括激光退火。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述导电线结构之间的插塞隔离层，
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述插塞隔离层和所述虚设电介质插塞包括电介质材料。
4.如权利要求2所述的半导体器件，
5.如权利要求1所述的半导体器件，
6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括多层间隔件，所述多层间隔件形成在所述导电线结构的两侧壁上。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设电介质插塞的顶表面设置在比所述导电接触插塞的顶表面高的水平处。
8.如权利要求1所述的半导体器件，
9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘包括金属基材料。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述焊盘隔离层包括氧化硅、...
【专利技术属性】
技术研发人员：金大原，金宥利，金泰均，全振桓，崔东求，崔利，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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