【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、不管电源开/关条件如何，非易失性存储器装置保留所存储的数据。最近，随着包括以单层形成在基板上的存储器单元的二维非易失性存储器装置的集成的改进受到限制，已提出包括在垂直方向上层叠在基板上的存储器单元的三维(3d)非易失性存储器装置。
2、3d非易失性存储器装置可包括彼此交替地层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿过其的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。为了改进具有3d结构的这种非易失性存储器装置的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、本公开的实施方式可提供一种半导体装置。该半导体装置可包括：栅极层叠结构，其包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；垂直结构，其延伸到栅极层叠结构中；浮置栅极，其设置在垂直结构和多个导电层之间；以及介电图案，其设置在浮置栅极和多个导电层之间，其中，浮置栅极包括与垂直结构相邻的第一部分以及与介电图案相邻的第二部分，并且其中，介电...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一部分的垂直长度比所述第二部分的垂直长度更长。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述介电图案包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘层朝着所述垂直结构比所述多个导电层突出更远。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一部分设置在所述多个绝缘层之间的空间中，并且
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一高...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一部分的垂直长度比所述第二部分的垂直长度更长。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述介电图案包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘层朝着所述垂直结构比所述多个导电层突出更远。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一部分设置在所述多个绝缘层之间的空间中，并且
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一高介电层和所述第二高介电层延伸到所述多个绝缘图案和所述多个绝缘层之间的空间。
8.一种半导体装置，该半导体装置包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述低介电层设置在所述多个绝缘层之间，并且
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述低介电层是自由基氧化物层，并且
11.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：
13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第一牺牲图案的步骤包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：
15.根据权利要求11所述的方法，其中，通过自由基氧化工艺来形成所述低介电层。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述高介电层由包括氧化铝al2o3、氧化铪hfox或氧化铪硅hfsiox的层形成。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述多个绝缘图案的步骤包括以下步骤：
18.根据权利要求11所述的方法，其中，
19.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜仁求，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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