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本文可提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置可包括：栅极层叠结构，其包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；垂直结构，其延伸到栅极层叠结构中；浮置栅极，其设置在垂直结构和多个导电层之间；以及介电图案，其设置在浮置栅极和多个导电层之间。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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