半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统技术方案

一种半导体器件可以包括：外围电路结构，包括单元区域和外部区域；单元结构，在单元区域上；外部结构，在外部区域上；以及绝缘层。外部结构可以包括：虚设堆叠结构；贯通电极，穿透虚设堆叠结构并且连接到外围电路结构；以及虚设竖直结构，与贯通电极相邻并且穿透虚设堆叠结构的至少一部分。绝缘层可以在虚设堆叠结构与外围电路结构之间。虚设堆叠结构可以包括下虚设堆叠结构和在所述下虚设堆叠结构上的上虚设堆叠结构。上虚设堆叠结构可以包括堆叠在下虚设堆叠结构上的上虚设图案。下虚设堆叠结构可以包括堆叠在外部区域上的下虚设图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。

技术介绍

1、为了满足消费者对优异性能和低价格的需求，可能需要提高半导体器件的集成度。在半导体器件的情况下，因为集成度可能是决定产品价格的重要因素，所以可能特别需要提高集成度。在二维或平面半导体器件的情况下，集成度很大程度上可以由单位存储单元所占的面积决定，因此它会受到精细图案形成技术水平的影响。然而，由于可能需要非常昂贵的设备来细化图案，所以二维半导体器件的集成度增加但仍可能受到限制。因此，已经提出了具有三维布置的存储单元的三维(3d)半导体存储器件。

技术实现思路

1、本专利技术构思提供了具有改善的可靠性和检查速度的半导体器件。

2、本专利技术构思提供了一种包括具有改善的可靠性和检查速度的半导体器件的电子系统。

3、根据专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：外围电路结构，包括单元区域和外部区域；单元结构，在外围电路结构的单元区域上；外部结构，在外围电路结构的外部区域上；以及绝缘层，在外围电路结构上。单元结构可以包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构的竖直高度等于或小于所述沟道结构的竖直高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构的下表面的竖直水平等于或高于所述沟道结构的下表面的竖直水平。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构的上表面与所述沟道结构的上表面齐平。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构的竖直高度等于或小于所述沟道结构的竖直高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构的下表面的竖直水平等于或高于所述沟道结构的下表面的竖直水平。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构的上表面与所述沟道结构的上表面齐平。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述虚设竖直结构包括：

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

11.一种半导体器件，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：郑恩宅，成锡江，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：