存储器件和包括该存储器件的存储装置制造方法及图纸

公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及存储器件和包括该存储器件的存储装置，更具体地，涉及交叉点存储器件和包括该交叉点存储器件的存储装置。

技术介绍

1、随着电子产品的小型化趋势，对高密度存储器件的需求日益增加。交叉点存储器件具有上电极和下电极彼此竖直地相交布置并且存储单元设置在相交区域中的存储结构。该结构的优点是在平面上具有小存储单元。然而，在寻址存储单元的过程中，可能在相邻的存储单元中生成漏电流。因为可能需要一个开关器件对应于一个存储单元，所以在增加存储器的容量上可能存在限制。

技术实现思路

1、提供了可以用单个组件同时实现存储功能和开关功能的存储器件，以及包括该存储器件的存储装置。

2、提供了具有双向阈值开关特性的存储器件，以及包括该存储器件的存储装置。

3、附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。

4、根据示例实施例，一种存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层的阈值电压变化率小于所述界面层的阈值电压变化率。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层的阈值电压变化率为60mV/dec或更小。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层和所述界面层均包括硫族化合物。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层包括GeAsSeIn、GeAsSeSIn、GeAsTeSi和GeAsSeTeSi中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层包括GeAsSe。

7....

【技术特征摘要】

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层的阈值电压变化率小于所述界面层的阈值电压变化率。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层的阈值电压变化率为60mv/dec或更小。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层和所述界面层均包括硫族化合物。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层包括geassein、geassesin、geastesi和geassetesi中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层包括geasse。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层中的锗ge的比率大于所述中间层中的ge的比率。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述界面层中的ge的比率为20％或更大。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述中间层中的ge的比率小于20％。

【专利技术属性】
技术研发人员：梁基延，具本原，成河俊，李昌承，崔旻雨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：