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本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；多个导电线结构，所述多个导电线结构设置在衬底之上；多个导电接触插塞，所述多个导电接触插塞形成在导电线结构之间，这些导电线结构设置在衬...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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