【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长，具体为一种碲锌镉晶体生成热处理的方法。
技术介绍
1、碲锌镉((cd1-xznxte,cdznte,czt))晶体是宽禁带ii-vi族化合物半导体，是碲cdte和znte固溶而成，锌的量加入不同，cdznte晶体的熔点在1092-1295℃之间变化，zn组分为10％左右czt晶体具有优异的光电性能，能够在室温条件下直接将x射线和γ射线光子转变为电子，可作为核辐射探测器的光电转换材料，用于医学诊断、安全检查、工业探伤和天体物理等方面，是目前用来制作室温工作的紧凑、高效、高分辨率的x射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料之一，被广泛应用于红外探测器hgcdte的外延衬底和室温核辐射探测器，如专利cn1824850a中公开了一种生长晶体工艺方法，使碲锌镉的成晶率得到了提高，有效降低了成本，但是czt晶体、熔体和石英坩埚的热导率存在明显差异，晶体及熔体周围热量传递和散热的不均，可能引起较大的热应力，进而产生位错并向晶锭内部扩展，影响晶体的结晶质量。
技术实现思路
1、(一)
【技术保护点】
1.一种碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述(1)中单质碲、单质锌、单质镉装入石英坩埚中的方式为表层为单质碲、中层为单质锌、底层为单质镉。
3.根据权利要求1所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述抛光液的制备方法为：
4.根据权利要求3所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述(1)中对苯二酚、五氧化二磷、羟基化碳纳米管的质量比为3-4:0.2-0.4:1。
5.根据权利要求1所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述(1)中单质碲、单质锌、单质镉装入石英坩埚中的方式为表层为单质碲、中层为单质锌、底层为单质镉。
3.根据权利要求1所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述抛光液的制备方法为：
4.根据权利要求3所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述(1)中对苯二酚、五氧化二磷、羟基化碳纳米管的质量比为3-4:0.2-0.4:1。
5.根据权利要求1所述的碲锌镉晶体生成热处理的方法，其特征在于，所述(3)中化学抛光的方法为：先对单晶锭c进行水洗、烘干，再向其...
【专利技术属性】
技术研发人员：王夏芳，程鹏飞，夏海旗，李润博，任冬宾，
申请(专利权)人：安徽承禹半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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