【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化铝生长领域，特别涉及一种用于氢化物气相外延生长氮化铝的铝舟及使用方法。
技术介绍
1、氮化铝作为宽禁带半导体材料的代表，它具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，饱和电子迁移率高以及抗辐射能力强等优点，在紫外发光通讯、高频高功率密度电子功率器件和声表面波压电等领域有着广泛的应用前景。目前，可以实现氮化铝快速生长的方法主要为物理气相传输法和氢化物气相外延法。然而，物理气相传输法会在生长过程中引入大量杂质，影响氮化铝材料的使用性能。因此，氢化物气相外延法成为生长高纯氮化铝材料的唯一选择。
2、在氢化物气相外延过程中，氯化氢首先与金属铝粒在铝舟内发生化学反应生成合成氮化铝的铝源三氯化铝；然后三氯化铝通过载气输送至衬底表面与氨气反应生成氮化铝并进行沉积，如图2所示。其中，氯化氢与金属铝粒的反应效率直接决定了氮化铝的生长速率。然而，如图8所示，传统铝舟由于本身结构所限，不适合用于氢化物气相外延生长氮化铝：全部材料为石英，石英内筒11、石英外筒10、进料管12和排气管13为一整体，不可拆卸更换，装填铝粒十分不便；在高温条...
【技术保护点】
1.一种用于氢化物气相外延生长氮化铝的铝舟，包括外筒（1）、内筒（2）、进气管（3）和出气管（4），其特征在于：所述外筒（1）包括石英顶盖(1-1)和石英筒（1-2），所述石英顶盖(1-1)设置在所述石英筒（1-2）上方；所述内筒（2）包括上铝凹槽（2-1）和下铝凹槽（2-2），所述上铝凹槽（2-1）和下铝凹槽（2-2）的底部为网状，下铝凹槽（2-2）设置在石英筒（1-2）内底部，在下铝凹槽（2-2）顶端叠放上铝凹槽（2-1）；在石英顶盖(1-1)的中心孔设置进气管（3），在石英筒（1-2）底部的中心孔设置出气管（4）。
2.如权利要求1所述的一种用于氢化...
【技术特征摘要】
1.一种用于氢化物气相外延生长氮化铝的铝舟，包括外筒（1）、内筒（2）、进气管（3）和出气管（4），其特征在于：所述外筒（1）包括石英顶盖(1-1)和石英筒（1-2），所述石英顶盖(1-1)设置在所述石英筒（1-2）上方；所述内筒（2）包括上铝凹槽（2-1）和下铝凹槽（2-2），所述上铝凹槽（2-1）和下铝凹槽（2-2）的底部为网状，下铝凹槽（2-2）设置在石英筒（1-2）内底部，在下铝凹槽（2-2）顶端叠放上铝凹槽（2-1）；在石英顶盖(1-1)的中心孔设置进气管（3），在石英筒（1-2）底部的中心孔设置出气管（4）。
2.如权利要求1所述的一种用于氢化物气相外延生长氮化铝的铝舟，其特征在于：在石英顶盖（1-1）...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙科伟，王再恩，王双，张嵩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：
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