【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、存储器装置是为主机系统(例如计算机或其它电子装置)提供数据的电子存储的半导体电路。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器需要电力来维持数据，且包含例如随机存取存储器(ram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等的装置。非易失性存储器可在未供电时保留所存储数据，且包含例如快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram))、电阻性随机存取存储器(rram)或磁阻性随机存取存储器(mram)等的装置。
2、主机系统通常包含主机处理器、用于支持主机处理器的第一数量的主存储器(例如，通常是易失性存储器，例如dram)及除了主存储器外或独立于主存储器提供额外存储装置来保留数据的一或多个存储系统(例如，通常是非易失性存储器，例如快闪存储器)。
3、例如固态驱动器(ssd)的存储系统可包含存储器控制器及一或多个存储器装置，包含数个裸片或逻辑单元(lun)。在特定实例中，每一裸片可包含数个存储器阵列及其上的外围电路系统，例如裸片逻辑或裸片处理器。存储器控制器可包含经配置以通过通信接口(例如双向并行或串行通信接口)与主机装置(例如主机处理器或接口电路系统)通信的接口电路系统。
4、本描述大体涉及互补金属氧化物半导体(cmos)装置中的晶体管结构及制造。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述n型源极/漏极区包含嵌入式硅磷。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一硅化物界面触点穿透到所述n型源极/漏极区的一部分中。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一硅化物界面触点包含自对准硅化物界面触点。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其进一步包含在所述自对准硅化物界面触点与触点通孔之间的中间层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述p型源极/漏极区包含嵌入式硅锗。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二硅化物界面触点穿透到所述n型源极/漏极区的一部分中。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二硅化物界面触点包含自对准硅化物界面触点。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包含在所述自对准硅化物界面触点与触点通孔之间的中间层。
10.一种存储器装置，其包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包含在所述第一及第二晶体
12.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包含在所述第一晶体管的至少一部分上方的拉伸氮化硅衬垫。
13.根据权利要求12所述的存储器装置，其进一步包含所述第一晶体管的所述n型源极/漏极区中的位错。
14.根据权利要求12所述的存储器装置，其进一步包含在所述第二晶体管的至少一部分上方的压缩氮化硅衬垫。
15.一种形成半导体装置的方法，其包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中形成n型源极/漏极区包含嵌入式n型源极/漏极区的外延生长。
17.根据权利要求15所述的方法，其中形成p型源极/漏极区包含嵌入式p型源极/漏极区的外延生长。
18.根据权利要求15所述的方法，其中形成n型源极/漏极区包含使掺杂的n型源极/漏极区退火以引发应变并形成位错。
19.根据权利要求15所述的方法，其中形成第一硅化物界面触点包含第一硅化物界面触点的自对准形成。
20.根据权利要求19所述的方法，其中形成第一硅化物界面触点包含形成包含钛的硅化物。
21.根据权利要求19所述的方法，其中形成第一硅化物界面触点包含形成包含钴的硅化物。
22.根据权利要求15所述的方法，其中形成第二硅化物界面触点包含第二硅化物界面触点的自对准形成。
23.根据权利要求22所述的方法，其中形成第一硅化物界面触点包含形成包含钛的硅化物。
24.根据权利要求22所述的方法，其中形成第一硅化物界面触点包含形成包含铂及镍的硅化物。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述n型源极/漏极区包含嵌入式硅磷。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一硅化物界面触点穿透到所述n型源极/漏极区的一部分中。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一硅化物界面触点包含自对准硅化物界面触点。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其进一步包含在所述自对准硅化物界面触点与触点通孔之间的中间层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述p型源极/漏极区包含嵌入式硅锗。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二硅化物界面触点穿透到所述n型源极/漏极区的一部分中。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二硅化物界面触点包含自对准硅化物界面触点。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包含在所述自对准硅化物界面触点与触点通孔之间的中间层。
10.一种存储器装置，其包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包含在所述第一及第二晶体管中的一或多者上方的氮化硅衬垫。
12.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包含在所述第一晶体管的至少一部分上方的拉伸氮化硅衬垫。
13.根据权利要求12所述的存储器装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫下俊彦，R·A·魏默，D·M·莫库塔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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