System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器装置制造方法及图纸_技高网

存储器装置制造方法及图纸

技术编号:40487445 阅读:8 留言:0更新日期:2024-02-26 19:19
实施方式提供一种良率得到提高的存储器装置。实施方式的存储器装置具备:第1积层体,包含沿第1方向排列且相互分开地设置的多个第1绝缘体层;第2积层体及第3积层体,分别包含多个导电体层,且相互分开地设置,所述多个导电体层与多个第1绝缘体层分别在同一层且相互分开地设置;存储器柱,在第3积层体内沿第1方向延伸,与多个导电体层的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能;第1部件,在第1与第2积层体之间和第1及第2积层体相接,且沿与第1方向交叉的第2方向延伸;及第2部件,在第2与第3积层体之间和第2及第3积层体相接,沿第2方向延伸,且与第1部件排列在和第1方向及第2方向交叉的第3方向上。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及一种存储器装置


技术介绍

1、作为能够将数据非易失地存储的存储器装置,已知有nand(not and,与非)闪速存储器。在该nand闪速存储器之类的存储器装置中,会采用三维存储器结构来实现高集成化、大容量化。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题在于提供一种良率得到提高的存储器装置。

2、实施方式的存储器装置具备第1积层体、第2积层体、第3积层体、存储器柱、第1部件及第2部件。所述第1积层体包含沿第1方向排列且相互分开地设置的多个第1绝缘体层。所述第2积层体及所述第3积层体分别包含多个导电体层,且相互分开地设置,所述多个导电体层与所述多个第1绝缘体层分别在同一层且相互分开地设置。所述存储器柱在所述第3积层体内沿所述第1方向延伸,与所述多个导电体层的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能。所述第1部件在所述第1积层体与所述第2积层体之间和所述第1积层体及所述第2积层体相接,且沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸。所述第2部件在所述第2积层体与所述第3积层体之间和所述第2积层体及所述第3积层体相接,沿所述第2方向延伸,且与所述第1部件排列在和所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上。

【技术保护点】

1.一种存储器装置,具备:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其还具备第3部件,

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其还具备第4部件,

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中

8.根据权利要求4所述的存储器装置,其中

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中

10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中

11.根据权利要求1所述的存储器装置,其中

12.根据权利要求1所述的存储器装置,其中

13.根据权利要求12所述的存储器装置,其中

14.根据权利要求12所述的存储器装置,其中

15.根据权利要求1所述的存储器装置,其中

16.一种存储器装置,具备:

17.根据权利要求16所述的存储器装置,其中

18.根据权利要求17所述的存储器装置,其中

<p>19.一种存储器装置,具备:

20.根据权利要求19所述的存储器装置,其中

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置,具备:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其还具备第3部件,

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其还具备第4部件,

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中

8.根据权利要求4所述的存储器装置,其中

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中

10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中...

【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川航今野拓也伊藤祥代古林贤
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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