【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种改善系统上电可靠性的方法。本专利技术还涉及一种改善系统上电可靠性的装置。
技术介绍
1、如图1所示，是现有非易失性存储器的上电流程图；现有非易失性存储器的上电流程包括：
2、步骤s101、电源电压检测电路输出复位信号，即进行上电复位。所述上电复位中，采用电源电压检测电路检测电源电压并输出复位信号，在所述复位信号的使能下复位系统电路。
3、步骤s102、基准电压电路启动输出基准电压。
4、步骤s103、振荡器(osc)电路启动输出时钟信号。
5、步骤s102和s103实现模拟量建立，所述基准电压和所述时钟信号输出给逻辑控制电路。
6、步骤s104、逻辑控制电路读取模拟量的校准信号且校验数据；步骤s104中，读取所述非易失性存储器中已校准(trimming)的配置位得到所述模拟量的校准信号，读一次正的校准信号数据，再读一次相反的校准信号数据，且校验两次数据一一匹配，校验通过后配置模拟量。
7、步骤s105为校验通过(pass)即判断校验是否通过，如果为否(no)，则返回到步骤s104；如果为是(yes)，则配置模拟量并进行后续步骤s106。
8、步骤s106、读取客户相关的状态寄存器(status register)/配置寄存器(configure register)同时校验客户数据，客户数据即为客户的寄存器数据也即客户的状态寄存器或配置寄存器数据，状态寄存器或配置寄存器数据只有正的数据或者反的数据，在
9、步骤s107、校验pass即判断校验是否通过，如果为no，则返回到步骤s106；如果为yes，则进行后续步骤s108。
10、步骤s108、关断osc退出上电流程进入待机(standy)状态。
11、客户的状态寄存器或配置寄存器数据通过客户模式下的写寄存器流程写入，如图2所示，是现有客户模式下的写寄存器流程图；所述客户模式下的写寄存器流程包括：
12、步骤s201、客户发送写status register或者configure register指令。
13、步骤s202、客户status register/configure register数据写入存储器。
14、步骤s203、校验pass即判断校验是否通过，如果为no，则返回到步骤s202；如果为yes，则进行后续步骤s204。
15、步骤s204、flow end即结束所述客户模式下的写寄存器流程。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种改善系统上电可靠性的方法，能在上电过程中减少错误配置的通过，从而增强上电的可靠性。为此，本专利技术还提供一种改善系统上电可靠性的装置。
2、为此，本专利技术提供的改善系统上电可靠性的方法中，上电流程包括：
3、进行上电复位。
4、进行模拟量建立，包括：启动基准电压电路以输出基准电压，启动时钟振荡器以输出时钟信号，所述基准电压和所述时钟信号输出给逻辑控制电路。
5、进行第一次校验，用于对模拟量的校准信号进行校验。
6、进行第二次校验，用于对需校验寄存器的数据进行校验，所述需校验寄存器为客户的状态寄存器或配置寄存器；所述需校验寄存器的数据包括客户寄存器数据以及和所述客户寄存器数据同时写入的固定数据图形(pattern)。数据图形是由数据‘0’和数据‘1’排列形成的图形。
7、所述第二次校验成功后关断所述时钟振荡器并退出所述上电流程以及系统进入待机状态。
8、进一步的改进是，系统包括非易失性存储器。
9、进一步的改进是，所述上电复位中，采用电源电压检测电路检测电源电压并输出复位信号，在所述复位信号的使能下复位系统电路。
10、进一步的改进是，所述第一校验中，包括：
11、读取所述非易失性存储器中已校准的配置位得到所述模拟量的校准信号；
12、对所读取的所述模拟量的校准信号进行校验。
13、进一步的改进是，在所述第一次校验中，如果校验失败，则重新读取所述非易失性存储器中已校准的配置位得到所述模拟量的校准信号，之后再重新进行校验；如果校验成功，则配置所述模拟量并结束所述第一次校验。
14、进一步的改进是，读取所述非易失性存储器中已校准的配置位的步骤包括两次，分别为：读一次正的校准信号数据，再读一次相反的校准信号数据；之后对两次读取的所述校准信号数据进行一一匹配的校验。
15、进一步的改进是，所述需校验寄存器的数据通过客户模式下的写寄存器流程写入，所述客户模式下的写寄存器流程包括：
16、客户发送写所述需校验寄存器的指令。
17、将所述客户寄存器数据以及和所述固定数据图形一同写入到所述非易失性存储器中。
18、进行第三次校验，如果所述第三次校验失败则重复进行将所述客户寄存器数据以及和所述固定数据图形一同写入到所述非易失性存储器中；如果所述第三次校验成功则结束所述客户模式下的写寄存器流程。
19、进一步的改进是，所述客户寄存器数据包括正的数据或者反的数据，在所述第二次校验中，进行2次读取并校验2次读取的数据的一致性。
20、为解决上述技术问题，本专利技术提供的改善系统上电可靠性的装置包括：流程控制模块，上电复位模块，模拟量建立模块，第一次校验模块和第二次校验模块。
21、所述流程控制模块控制上电流程；上电流程包括：
22、采用所述上电复位模块实现上电复位。
23、采用模拟量建立模块实现模拟量建立，包括：启动基准电压电路以输出基准电压，启动时钟振荡器以输出时钟信号，所述基准电压和所述时钟信号输出给逻辑控制电路。
24、采用所述第一次校验模块实现第一次校验，用于对模拟量的校准信号进行校验。
25、采用所述第二次校验模块实现第二次校验，用于对需校验寄存器的数据进行校验，所述需校验寄存器为客户的状态寄存器或配置寄存器；所述需校验寄存器的数据包括客户寄存器数据以及和所述客户寄存器数据同时写入的固定数据图形。
26、所述第二次校验成功后，关断所述时钟振荡器并退出所述上电流程以及系统进入待机状态。
27、进一步的改进是，系统包括非易失性存储器。
28、进一步的改进是，所述上电复位模块包括电源电压检测电路；在所述上电复位中，采用所述电源电压检测电路检测电源电压并输出复位信号，在所述复位信号的使能下复位系统电路。
29、进一步的改进是，所述第一校验中，包括：
30、读取所述非易失性存储器中已校准的配置位得到所述模拟量的校准信号。
31、对所读取的所述模拟量的校准信号进行校验。
32、进一步的改进是，在所述第一次校验中，如果校验失败本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种改善系统上电可靠性的方法，其特征在于，上电流程包括：
2.如权利要求1所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：系统包括非易失性存储器。
3.如权利要求2所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述上电复位中，采用电源电压检测电路检测电源电压并输出复位信号，在所述复位信号的使能下复位系统电路。
4.如权利要求2所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述第一校验中，包括：
5.如权利要求4所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：在所述第一次校验中，如果校验失败，则重新读取所述非易失性存储器中已校准的配置位得到所述模拟量的校准信号，之后再重新进行校验；如果校验成功，则配置所述模拟量并结束所述第一次校验。
6.如权利要求4所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：读取所述非易失性存储器中已校准的配置位的步骤包括两次，分别为：读一次正的校准信号数据，再读一次相反的校准信号数据；之后对两次读取的所述校准信号数据进行一一匹配的校验。
7.如权利要求2所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所
8.如权利要求7所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述客户寄存器数据包括正的数据或者反的数据，在所述第二次校验中，进行2次读取并校验2次读取的数据的一致性。
9.一种改善系统上电可靠性的装置，其特征在于，包括：流程控制模块，上电复位模块，模拟量建立模块，第一次校验模块和第二次校验模块；
10.如权利要求9所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：系统包括非易失性存储器。
11.如权利要求10所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：所述上电复位模块包括电源电压检测电路；在所述上电复位中，采用所述电源电压检测电路检测电源电压并输出复位信号，在所述复位信号的使能下复位系统电路。
12.如权利要求10所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：所述第一校验中，包括：
13.如权利要求12所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：在所述第一次校验中，如果校验失败，则重新读取所述非易失性存储器中已校准的配置位得到所述模拟量的校准信号，之后再重新进行校验；如果校验成功，则配置所述模拟量并结束所述第一次校验。
14.如权利要求12所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：读取所述非易失性存储器中已校准的配置位的步骤包括两次，分别为：读一次正的校准信号数据，再读一次相反的校准信号数据；之后对两次读取的所述校准信号数据进行一一匹配的校验。
15.如权利要求10所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：所述需校验寄存器的数据通过客户模式下的写寄存器流程写入，所述客户模式下的写寄存器流程包括：
16.如权利要求15所述的改善系统上电可靠性的装置，其特征在于：所述客户寄存器数据包括正的数据或者反的数据，在所述第二次校验中，进行2次读取并校验2次读取的数据的一致性。
...【技术特征摘要】
1.一种改善系统上电可靠性的方法，其特征在于，上电流程包括：
2.如权利要求1所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：系统包括非易失性存储器。
3.如权利要求2所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述上电复位中，采用电源电压检测电路检测电源电压并输出复位信号，在所述复位信号的使能下复位系统电路。
4.如权利要求2所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述第一校验中，包括：
5.如权利要求4所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：在所述第一次校验中，如果校验失败，则重新读取所述非易失性存储器中已校准的配置位得到所述模拟量的校准信号，之后再重新进行校验；如果校验成功，则配置所述模拟量并结束所述第一次校验。
6.如权利要求4所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：读取所述非易失性存储器中已校准的配置位的步骤包括两次，分别为：读一次正的校准信号数据，再读一次相反的校准信号数据；之后对两次读取的所述校准信号数据进行一一匹配的校验。
7.如权利要求2所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述需校验寄存器的数据通过客户模式下的写寄存器流程写入，所述客户模式下的写寄存器流程包括：
8.如权利要求7所述的改善系统上电可靠性的方法，其特征在于：所述客户寄存器数据包括正的数据或者反的数据，在所述第二次校验中，进行2次读取并校验2次读取的数据的一致性。
9.一种改善系统上电可靠性的装置，其特征在于，包括：流程控制模...
【专利技术属性】
技术研发人员：李祖渠，汪齐方，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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