【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态硬盘测试，特别是涉及一种提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
1、现有存储设备，因为nand flash物理结构上的一些特性，以及外界环境因素，nandflash数据在读取过程中容易出现错误，通常纠错手段有：nand flash控制器ecc纠错(ldpchard)；调整读阈值电压做read retry；调整读阈值电压偏移值做ldpc soft decode；利用raid条带恢复数据。
2、目前，在传统的芯片测试中纠错模块测试多是单独测试，未覆盖大压力以及多模块混合的测试场景。在ssd固件测试中，因初始颗粒状况比较好，很难出现读失败进入纠错模块，需要磨盘测试使颗粒到易错状态，而磨盘易对ssd盘造成不可逆损坏。显然，在传统的测试流程中各个测试环节都不可控不灵活，进而使得整体测试覆盖度低。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法、装置、计算机设备和存储介质。
2、一种提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法，所述方法包括：
3、在固态硬盘读写过程中，通过输入cmdline指令设置nand flash die的readlevel；
4、进入read retry流程，判断当前场景下固件的read retry table是否发生修改；
5、若当前场景下read retry table未被修改则read retry报成功，
6、read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用默认的read level进行纠错并纠错成功。
7、在其中一个实施例中，在所述若当前场景下read retry table已被修改则readretry报失败的步骤之后还包括：
8、在固件中修改ldpc纠错的read level为全fail level；
9、待read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用fail level进行纠错时报纠错失败。
10、在其中一个实施例中，在所述待read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用fail level进行纠错时报纠错失败的步骤之后还包括：
11、ldpc纠错失败后，在固件中设置nand flash die的read level为默认值并进入raid恢复流程；
12、raid恢复流程中读全部为默认读level，所有读成功并成功恢复数据。
13、在其中一个实施例中，在所述待read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用fail level进行纠错时报纠错失败的步骤之后还包括：
14、ldpc纠错失败后，在固件中设置nand flash die的read level为默认值并进入raid恢复流程；
15、通过使用cmdline随机设置其他nand flash die的read level为失败的level，在raid恢复流程中会出现恢复数据失败。
16、一种提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现装置，所述装置包括：
17、设置模块，所述设置模块用于在固态硬盘读写过程中，通过输入cmdline指令设置nand flash die的read level；
18、判断模块，所述判断模块用于进入read retry流程，判断当前场景下固件的readretry table是否发生修改；
19、重读模块，所述重读模块用于若当前场景下read retry table未被修改则readretry报成功，若当前场景下read retry table已被修改则read retry报失败；
20、纠错模块，所述纠错模块用于read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用默认的read level进行纠错并纠错成功。
21、在其中一个实施例中，所述纠错模块还用于：
22、在固件中修改ldpc纠错的read level为全fail level；
23、待read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用fail level进行纠错时报纠错失败。
24、在其中一个实施例中，所述装置还包括恢复模块，所述恢复模块用于：
25、ldpc纠错失败后，在固件中设置nand flash die的read level为默认值并进入raid恢复流程；
26、raid恢复流程中读全部为默认读level，所有读成功并成功恢复数据。
27、在其中一个实施例中，所述恢复模块还用于：
28、ldpc纠错失败后，在固件中设置nand flash die的read level为默认值并进入raid恢复流程；
29、通过使用cmdline随机设置其他nand flash die的read level为失败的level，在raid恢复流程中会出现恢复数据失败。
30、一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。
31、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。
32、上述提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法、装置、计算机设备和存储介质，在固态硬盘读写过程中，通过输入cmdline指令设置nand flash die的read level；进入readretry流程，判断当前场景下固件的read retry table是否发生修改；若当前场景下readretry table未被修改则read retry报成功，若当前场景下read retry table已被修改则read retry报失败；read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用默认的read level进行纠错并纠错成功。本专利技术通过使用灵活注错场景，可以覆盖多模块压力测试下的不同测试场景，进而有效地提升了ssd固件纠错测试的覆盖率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现方法，其特征在于，在所述若当前场景下read retry table已被修改则read retry报失败的步骤之后还包括：
3.根据权利要求2所述的提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现方法，其特征在于，在所述待read retry失败后进入LDPC纠错流程，LDPC使用fail level进行纠错时报纠错失败的步骤之后还包括：
4.根据权利要求3所述的提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现方法，其特征在于，在所述待read retry失败后进入LDPC纠错流程，LDPC使用fail level进行纠错时报纠错失败的步骤之后还包括：
5.一种提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现装置，其特征在于，所述装置包括：
6.根据权利要求5所述的提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现装置，其特征在于，所述纠错模块还用于：
7.根据权利要求6所述的提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现装置，其特征在于，所述装置还包括恢复
8.根据权利要求7所述的提升SSD固件纠错测试覆盖率的实现装置，其特征在于，所述恢复模块还用于：
9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至4中任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法，其特征在于，在所述若当前场景下read retry table已被修改则read retry报失败的步骤之后还包括：
3.根据权利要求2所述的提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法，其特征在于，在所述待read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用fail level进行纠错时报纠错失败的步骤之后还包括：
4.根据权利要求3所述的提升ssd固件纠错测试覆盖率的实现方法，其特征在于，在所述待read retry失败后进入ldpc纠错流程，ldpc使用fail level进行纠错时报纠错失败的步骤之后还包括：
5.一种提升ssd固件纠错测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：程曼，杨洋，臧鑫，
申请(专利权)人：苏州忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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