【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、随着对半导体器件的高性能、高速度和/或多功能性的需求增加，半导体器件的集成密度已增加。在制造具有与半导体器件的高集成化趋势相对应的精细图案的半导体器件中，可能需要实现具有精细宽度或精细间隔距离的图案。此外，为了克服由于平面金属氧化物半导体场效应晶体管(fet)的尺寸减小而导致的操作特性的限制，已经努力开发包括具有三维沟道结构的finfet的半导体器件。
技术实现思路
1、一个方面提供一种具有提高的产量的半导体器件。
2、根据一个或多个示例实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，沿第一水平方向延伸并且在衬底上彼此平行地设置；多个栅结构，沿第二水平方向延伸并且在衬底上与有源区相交，多个栅结构分别包括栅电极；有源区上在多个栅结构的至少一侧的源/漏区；以及栅隔离结构，隔离多个栅结构中的在第二水平方向上彼此相对的栅结构，栅隔离结构在有源区之间的区域上将栅结构彼此隔离。在第二水平方向上彼此相对的栅结构包括第一栅结构、在第二水平方向上与第一栅结构相对的第二栅结构、与第一栅结构平行地延伸的第三栅结构、以及在第二水平方向上与第三栅结构相对且与第二栅结构平行地延伸的第四栅结构。栅隔离结构包括：线型的第一隔离结构，沿第一水平方向延伸；以及孔型的第二隔离结构，在第一栅结构和第二栅结构之间以及第三栅结构和第四栅结构之间穿透第一隔离结构。
3、根据一个或多个示例实施例的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导
4、根据一个或多个示例实施例的又一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：有源区，沿第一水平方向延伸并且在衬底上彼此平行地设置；第一栅结构和第二栅结构，在第二水平方向上彼此间隔开并且在衬底上与有源区相交，第一栅结构和第二栅结构中的每一个包括栅电极和在第二水平方向上沿栅电极的两侧延伸的间隔物结构；以及有源区之间的栅隔离结构，栅隔离结构将第一栅结构和第二栅结构彼此隔离。栅隔离结构包括：线型的第一隔离结构，沿第一水平方向延伸；以及孔型的第二隔离结构，在第一栅结构和第二栅结构之间穿透第一隔离结构。第一隔离结构包括与第二隔离结构的材料不同的材料，并且第二隔离结构在第一水平方向上的宽度比第一栅结构和第二栅结构在第一水平方向上的宽度窄。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二隔离结构包括将所述第一栅结构和所述第二栅结构的栅电极彼此物理隔离的第一竖直柱、以及将所述第三栅结构和所述第四栅结构的栅电极彼此物理隔离的第二竖直柱。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一竖直柱在所述第二水平方向上与所述第一栅结构和所述第二栅结构完全重叠，并且所述第二竖直柱在所述第二水平方向上与所述第三栅结构和所述第四栅结构完全重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第二隔离结构在所述第一水平方向上的宽度比所述栅结构中的每一个栅结构在所述第一水平方向上的宽度窄并比对应栅电极在所述第一水平方向上的宽度大。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一隔离结构包括间隙填充绝缘层、以及覆盖所述间隙填充绝缘层的侧表面和底表面的阻挡层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二部分具有在平面上朝向所述第二隔离结构弯曲的向外弯曲形状。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二部分具有朝向所述第二隔离结构弯曲的向内弯曲形状。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅隔离结构的下表面在比所述栅结构中的每一个栅结构的下表面的高度低的高度处。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，每一个所述第二隔离结构的下表面在比所述第一隔离结构的下表面的高度低的高度上。
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一部分和所述第三部分的下表面在比所述第二部分的下表面的高度高的高度上。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，
19.一种半导体器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述第二隔离结构在所述第一水平方向上的宽度大于所述栅电极的宽度并且小于所述栅电极的宽度与设置在所述栅电极的两侧的间隔物结构在所述第一水平方向上的宽度之和。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二隔离结构包括将所述第一栅结构和所述第二栅结构的栅电极彼此物理隔离的第一竖直柱、以及将所述第三栅结构和所述第四栅结构的栅电极彼此物理隔离的第二竖直柱。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一竖直柱在所述第二水平方向上与所述第一栅结构和所述第二栅结构完全重叠，并且所述第二竖直柱在所述第二水平方向上与所述第三栅结构和所述第四栅结构完全重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述第二隔离结构在所述第一水平方向上的宽度比所述栅结构中的每一个栅结构在所述第一水平方向上的宽度窄并比对应栅电极在所述第一水平方向上的宽度大。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一隔离结构包括间隙填充绝缘层、以及覆盖所述间隙填充绝缘层的侧表面和底表面的阻挡层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，
10.根据权利要求9所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：李敬雨，朴炼皓，郭玟灿，金昊俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。