晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，在等离子蚀刻中能够提高加工品质。晶片的加工方法包含如下的步骤：第1加工槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线照射激光光线而在功能层上形成第1加工槽；掩模用保护膜形成步骤，在实施了第1加工槽形成步骤之后形成将晶片的正面包覆并且填充至第1加工槽内的保护膜；第2加工槽形成步骤，在实施了掩模用保护膜形成步骤之后，沿着第1加工槽照射激光光线而形成宽度比第1加工槽小的第2加工槽，使基板沿着第2加工槽露出；以及等离子蚀刻步骤，在实施了第2加工槽形成步骤之后，将保护膜作为掩模而沿着第2加工槽实施等离子蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法。

技术介绍

1、在对基板上层叠有功能层的晶片实施等离子切割的情况下，首先进行前处理(在晶片的正面上形成保护膜，沿着分割预定线照射激光光线，将保护膜和功能层去除而使基板露出)，然后将保护膜作为掩模而实施等离子切割(例如参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2022-052821号公报

3、但是，由于激光光线的热影响，功能层的侧面或露出的基板的正面发生熔融，形成凹凸、微小的裂纹、比其他区域脆的改质层。

4、当在这样的区域露出的状态下实施等离子蚀刻时，该凹凸按照沿着深度方向延伸的方式被蚀刻，在蚀刻后的基板的侧面上形成凸凹，加工品质变差。

技术实现思路

1、由此，本专利技术的目的在于提供在等离子蚀刻中能够提高加工品质的晶片的加工方法。

2、根据本专利技术，提供晶片的加工方法，将通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有多个器件的晶片沿着划分该多个器件的交叉的多条分割预定线进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1加工槽形成步骤，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片的加工方法，将通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有多个器件的晶片沿着划分该多个器件的交叉的多条分割预定线进行加工，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

6.根据权利要求5所述的晶片的加工方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种晶片的加工方法，将通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有多个器件的晶片沿着划分该多个器件的交叉的多条分割预定线进行加工，其中，

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田中健太郎，胡恬钧，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：