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本发明提供晶片的加工方法，在等离子蚀刻中能够提高加工品质。晶片的加工方法包含如下的步骤：第1加工槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线照射激光光线而在功能层上形成第1加工槽；掩模用保护膜形成步骤，在实施了第1加工槽形成步骤之后形成将晶片的正...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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