【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种声表面波谐振器和滤波器。
技术介绍
1、小型化、低损耗的声表面波滤波器(surface acoustic wave,saw),由于体积小性能优良等特点,为解决多模多频射频前端体积庞大的问题提供了可能性。但是组成声表面波滤波器的声表面波谐振器存在各种杂波模态，例如横向模态，对于滤波器的性能指标影响很大，横向模态的存在使得滤波器的波形通带中出现大的毛刺或坑洞，从而影响器件的指标参数。目前先进工艺的声表面波滤波器，比如温度补偿型声表面波滤波器，横向模态更加显著，因此抑制横向模态是滤波器制造中一个重要的研究课题。
2、目前，主流的横向模态抑制方案是采用孔径加权的方案。孔径加权的方案能够一定程度抑制横向模态，但是仍有如下缺点：1、增加谐振器的尺寸，2、声学损耗增加、降低谐振器的q值，3、减小插指换能器有效面积降低耦合系数。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种声表面波谐振器和滤波器，以解决现有技术中存在的问题，能够有效抑制横向模态的杂波，提高声表面波谐振器的性能，同时，有利于声表面波谐振器的小型化。
2、第一方面，本专利技术提供了一种声表面波谐振器，包括
3、压电基片；
4、设置于所述压电基片上的叉指换能器；所述叉指换能器包括多个电极指，多个所述电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，所述第一方向和所述第二方向相交；
5、位于所述叉指换能器背离所述压电基片一侧的杂波抑制层，所述杂波抑制层包括多个杂波
6、可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括首端杂波抑制结构、尾端杂波抑制结构和至少一个中间杂波抑制结构；
7、沿第一方向，所述中间杂波抑制结构位于所述首端杂波抑制结构和所述尾端杂波抑制结构之间；
8、所述中间杂波抑制结构的体积小于所述首端杂波抑制结构的体积和/或所述尾端杂波抑制结构的体积。
9、可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括至少两个所述中间杂波抑制结构；存在两个所述中间杂波抑制结构的体积不同。
10、可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与不同所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量相同。
11、可选的，所述叉指换能器还包括第一汇流条和第二汇流条；
12、所述电极指包括多个第一电极指和多个第二电极指；
13、所述第一电极指与所述第二电极指沿所述第二方向交替排列；各所述第一电极指分别连接至所述第一汇流条，各所述第二电极指分别连接至所述第二汇流条；
14、多个所述杂波抑制结构包括多个第一类抑制结构和多个第二类抑制结构，沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第一类抑制结构与所述第一电极指交叠，所述第二类抑制结构与所述第二电极指交叠；
15、存在所述第一类抑制结构和所述第二类抑制结构在所述第二方向上对齐设置。
16、可选的，多个所述第一类抑制结构包括第一首端杂波抑制结构、第一尾端杂波抑制结构和至少一个第一中间杂波抑制结构；
17、多个所述第二类抑制结构包括第二首端杂波抑制结构、第二尾端杂波抑制结构和至少一个第二中间杂波抑制结构；
18、所述第一首端杂波抑制结构与所述第二尾端杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置；所述第一尾端杂波抑制结构与所述第二首端杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置；所述第一中间杂波抑制结构与所述第二中间杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置，或者所述第一中间杂波抑制结构与所述第二中间杂波抑制结构在所述第二方向上错开设置。
19、可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量大于或者等于4。
20、可选的，所述杂波抑制层的材料包括金属材料、氧化物材料和高分子涂敷材料中的至少一种。
21、可选的，所述声表面波谐振器还包括：位于所述叉指换能器与所述杂波抑制层之间的第一介电膜，以及位于所述杂波抑制层背离所述叉指换能器一侧的第二介电膜。
22、第二方面，本专利技术还提供一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的声表面波谐振器。
23、本专利技术的技术方案，通过使声表面波谐振器包括压电基片、设置于压电基片上的叉指换能器，以及位于叉指换能器背离压电基片一侧的杂波抑制层，且叉指换能器的多个电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，第一方向和第二方向相交，从而能够实现声电转换；通过使杂波抑制层包括多个杂波抑制结构，在沿声表面波谐振器的厚度方向，电极指与至少两个杂波抑制结构交叠，且与同一电极指交叠的至少两个杂波抑制结构的体积存在差异，使得声表面波谐振器具有至少3个声波速度不同的区域，从而能够削弱横向模态的声波，达到抑制杂波的效果，有利于提高声表面波谐振器的性能；此外，声表面波谐振器仅包括压电基片、叉指换能器和杂波抑制层，使得声表面波谐振器的结构简单，有利于实现声表面波谐振器的小型化，进而能够减小多模多频射频前端的体积。
24、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括首端杂波抑制结构、尾端杂波抑制结构和至少一个中间杂波抑制结构；
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括至少两个所述中间杂波抑制结构；存在两个所述中间杂波抑制结构的体积不同。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与不同所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量相同。
5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器还包括第一汇流条和第二汇流条；
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，多个所述第一类抑制结构包括第一首端杂波抑制结构、第一尾端杂波抑制结构和至少一个第一中间杂波抑制结构；
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述杂波抑制层的材料包括金属材料、氧化物材料和高分子涂敷材料中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：位于所述叉指换能器与所述杂波抑制层之间的第一介电膜，以及位于所述杂波抑制层背离所述叉指换能器一侧的第二介电膜。
10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的声表面波谐振器。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括首端杂波抑制结构、尾端杂波抑制结构和至少一个中间杂波抑制结构；
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括至少两个所述中间杂波抑制结构；存在两个所述中间杂波抑制结构的体积不同。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与不同所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量相同。
5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器还包括第一汇流条和第二汇流条；
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【专利技术属性】
技术研发人员：夏明超，马阳阳，刘晓军，许佳辉，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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