【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池片镀膜，尤其涉及一种镀膜方法、装置以及系统。
技术介绍
1、太阳能电池片在pecvd镀膜过程中通常采用双层氮化硅膜或多层氮化硅膜结构，在氮化硅膜内包含了si和n元素，为了达到更好的抗pid(potential induceddegradation，潜在电势诱导衰减)效果以及氢钝化效果，通常在底层膜沉积过程中采用较高的硅氮比，提升薄膜中的si-si键含量从而提升底层氮化硅折射率，但折射率越高，消光系数越大，光线穿透变差，影响电池片转换效率。并且，在底层膜沉积过程中，因炉口进气量大，温度高，沉积速率快，导致炉口沉积的氮化硅膜厚偏高，过高的膜厚进一步增加了薄膜消光系数，降低薄膜透光性，使电性能降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种镀膜方法、装置以及系统，以提供一种降低炉口位置底层膜厚，进而提升太阳能电池片转换效率的技术方案。
2、第一方面，本专利技术提供了镀膜方法，应用于pecvd镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜方法包括以下步骤：>
3、依次按照本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种镀膜方法，其特征在于，应用于PECVD镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述至少两种加热方式包括三种加热方式；
3.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热方式的第一加热时长、所述第二加热方式的第二加热时长以及所述第三加热方式的第三加热时长相同或不相同，且所述第一加热时长、所述第二加热时长和所述第三加热时长的总和满足预设时间。
4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热时长小于所述第二加热时长和所述第三加热时长。
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