【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池片镀膜，尤其涉及一种镀膜方法、装置以及系统。
技术介绍
1、太阳能电池片在pecvd镀膜过程中通常采用双层氮化硅膜或多层氮化硅膜结构，在氮化硅膜内包含了si和n元素，为了达到更好的抗pid(potential induceddegradation，潜在电势诱导衰减)效果以及氢钝化效果，通常在底层膜沉积过程中采用较高的硅氮比，提升薄膜中的si-si键含量从而提升底层氮化硅折射率，但折射率越高，消光系数越大，光线穿透变差，影响电池片转换效率。并且，在底层膜沉积过程中，因炉口进气量大，温度高，沉积速率快，导致炉口沉积的氮化硅膜厚偏高，过高的膜厚进一步增加了薄膜消光系数，降低薄膜透光性，使电性能降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种镀膜方法、装置以及系统，以提供一种降低炉口位置底层膜厚，进而提升太阳能电池片转换效率的技术方案。
2、第一方面，本专利技术提供了镀膜方法，应用于pecvd镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜方法包括以下步骤：
3、依次按照至少两种加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在太阳能电池上沉积底层膜；其中，所述至少两种加热方式中的加热温度依次升高，且所述至少两种加热方式中的最高加热温度满足预设温度阈值，且所述底层膜位于所述pecvd镀膜设备的炉口部分与所述底层膜的其他部分厚度一致。
4、在采用上述技术方案的情况下，本专利技术中的镀膜方法，依次按照至少两种加热方式对所述pecvd镀
5、在一种可能的实现方式，所述至少两种加热方式包括至少三种加热方法；
6、所述依次按照至少两种加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在太阳能电池上沉积底层膜包括：
7、按照第一加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在太阳能电池上沉积第一膜层；
8、按照第二加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在所述第一膜层上沉积第二膜层；
9、按照第三加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在所述第二膜层上沉积第三膜层；其中，所述第一加热方式中的第一加热温度、所述第二加热方式中的第二加热温度以及所述第三加热方式中的第三加热温度逐渐上升，且所述第三加热温度满足预设温度阈值；所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层形成所述太阳能电池的底层膜。
10、进一步的，所述第一加热温度的范围包括558℃-562℃，和/或，所述第二加热温度的范围包括568℃-572℃，和/或，所述第三加热温度的范围包括578℃-582℃。
11、在采用上述技术方案的情况下，炉口通过三次控温，分别以558℃
12、-562℃,568℃-572℃,578℃-582℃的梯度升温，降低炉口底层膜厚的同时，不影响二层或多层膜沉积膜厚，从而达到炉口炉中炉尾沉积膜厚一致性，降低炉口位置底层膜厚，提升电池片转换效率。
13、在一种可能的实现方式，所述第一加热方式的第一加热时长、所述第二加热方式的第二加热时长以及所述第三加热方式的第三加热时长相同或不相同，且所述第一加热时长、所述第二加热时长和所述第三加热时长的总和满足预设时间。
14、其中，所述第一加热时长小于所述第二加热时长和所述第三加热时长。
15、基于此，本专利技术能够在沉积总时间保持不变的情况下，通过多次控温，以梯度的方式升温，可以在降低炉口底层膜厚的同时，不影响二层或多层膜沉积膜厚，从而达到炉口炉中炉尾沉积膜厚一致性，以提升电池片转换效率。
16、在一种可能的实现方式，所述镀膜方法还包括：
17、当依次按照至少两种加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在太阳能电池上沉积底层膜时，对所述pecvd镀膜设备的每个部分按照相同的方式进行加热，且按照自所述pecvd镀膜设备的炉口至所述pecvd镀膜设备的炉尾的方向，所述pecvd镀膜设备的每个部分的加热温度先降低再升高。
18、在一种可能的实现方式中，所述底层膜位于所述pecvd镀膜设备的炉口部分与所述底层膜的其他部分厚度一致包括：所述底层膜位于所述pecvd镀膜设备的炉口部分与所述底层膜的其他部分厚度相同，或所述底层膜位于所述pecvd镀膜设备的炉口部分与所述底层膜的其他部分厚度差值满足预设数值。
19、第二方面，本专利技术公开了一种镀膜装置，应用于pecvd镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜装置包括：
20、镀膜模块：用于依次按照至少两种的加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在太阳能电池上沉积底层膜；其中，所述至少两种加热方式中的加热温度依次升高，所述至少两种加热方式中的最高加热温度满足预设温度阈值，且所述底层膜位于所述pecvd镀膜设备的炉口部分与所述底层膜的其他部分厚度一致。
21、所述镀膜装置还包括加热设备，所述加热设备与所述镀膜模块通信连接；
22、所述至少两种加热方式包括第一加热方式，第二加热方式以及第三加热方式；
23、所述加热设备用于在所述镀膜模块的控制下，按照所述第一加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在太阳能电池上沉积第一膜层；
24、所述加热设备还用于在所述镀膜模块的控制下，按照所述第二加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在所述第一膜层上沉积第二膜层；
25、所述加热设备还用于在所述镀膜模块的控制下，用于按照所述第三加热方式对所述pecvd镀膜设备的炉口进行加热，以在所述第二膜层上沉积第三膜层；
26、其中，所述第一加热方式中的第一加热温度、所述第二加热方式中的第二加热温度以及所述第三加热方式中的第三加热温度逐渐上升，且所述第三加热温度满足预设温度阈值；所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层形成所述太阳能电池的底层膜。
27、第三方面，本专利技术公开了镀膜系统，包括镀膜装置，以及太阳能电池片，所述镀膜装置用于对所述太阳能电池片沉积底层膜。
28、与现有技术相比，本专利技术提供第二方面和第三方面的有益效果与第一方面任一可能的实现方式所描述的镀膜方法的有益效果相同，此处不做赘述。
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1.一种镀膜方法，其特征在于，应用于PECVD镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述至少两种加热方式包括三种加热方式；
3.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热方式的第一加热时长、所述第二加热方式的第二加热时长以及所述第三加热方式的第三加热时长相同或不相同，且所述第一加热时长、所述第二加热时长和所述第三加热时长的总和满足预设时间。
4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热时长小于所述第二加热时长和所述第三加热时长。
5.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热温度的范围包括558℃-562℃，和/或，所述第二加热的温度范围包括568℃-572℃，和/或，所述第三加热温度的范围包括578℃-582℃。
6.根据权利要求1-5任一项所述的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜方法还包括：
7.根据权利要求1-6任一项所述的镀膜方法，其特征在于，所述底层膜位于所述PECVD镀膜设备的炉口部分与所述底层膜
8.一种镀膜装置，其特征在于，应用于PECVD镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜装置包括：
9.根据权利要求8所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置还包括加热设备，所述加热设备与所述镀膜模块通信连接；
10.一种镀膜系统，其特征在于，包括权利要求8-9所述的镀膜装置，以及太阳能电池片，所述镀膜装置用于对所述太阳能电池片沉积底层膜。
...【技术特征摘要】
1.一种镀膜方法，其特征在于，应用于pecvd镀膜设备对太阳能电池片的镀膜中，所述镀膜方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的镀膜方法，其特征在于，所述至少两种加热方式包括三种加热方式；
3.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热方式的第一加热时长、所述第二加热方式的第二加热时长以及所述第三加热方式的第三加热时长相同或不相同，且所述第一加热时长、所述第二加热时长和所述第三加热时长的总和满足预设时间。
4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热时长小于所述第二加热时长和所述第三加热时长。
5.根据权利要求2所述的镀膜方法，其特征在于，所述第一加热温度的范围包括558℃-562℃，和/或，所述第二加热的温度范围包括568℃-572℃，和/或，所述第三加热温度的范围包括578℃-582℃。
...【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，曹红亮，李强，李芮，杨晓博，贺梦博，马新禄，张志东，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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