【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片转移，尤其涉及一种发光芯片转移方法、发光芯片组件。
技术介绍
1、目前，发光芯片转移过程中，通常采用激光直接转移发光芯片，即发光芯片由生长基板上直接通过悬空剥离方式落在承接基板上，成为快速方案，可以有效的降低多次巨量转移造成的良率及节拍损失，但目前遇到难点，如发光芯片的氮化镓缓冲层，由于其在激光作用下分解产生的氮气冲击较大，导致发光芯片在与承接基板上接触时产生较大的冲击造成偏移，导致发光芯片转移良率低。
2、因此，如何改善发光芯片下落速度快导致转移出现偏移的问题成为亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片转移方法、发光芯片组件，旨在解决相关技术中，发光芯片下落速度快导致转移出现偏移的问题。
2、一种发光芯片转移方法，所述方法包括：
3、提供一承接基板以及一发光芯片组件；其中，所述发光芯片组件包括：生长基板，设置于所述生长基板上的多颗发光芯片，以及对称附着在所述发光芯片的侧面并与所述生长
【技术保护点】
1.一种发光芯片转移方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述使用激光从所述生长基板远离所述承接基板的一侧照射所述发光芯片和所述胶翼，包括：
3.如权利要求1所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述使用激光从所述生长基板远离所述承接基板的一侧照射所述发光芯片和所述胶翼，包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述胶翼的材质为光解胶。
5.一种发光芯片组件，其特征在于，发光芯片组件包括：
6.如权利要求5所述的发光芯片组件，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种发光芯片转移方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述使用激光从所述生长基板远离所述承接基板的一侧照射所述发光芯片和所述胶翼，包括：
3.如权利要求1所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述使用激光从所述生长基板远离所述承接基板的一侧照射所述发光芯片和所述胶翼，包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的发光芯片转移方法，其特征在于，所述胶翼的材质为光解胶。
5.一种发光芯片组件，其特征在于，发光芯片组件包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，萧俊龙，范春林，汪庆，詹蕊绮，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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