【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能化发展，封装技术也向着高密度、高集成化的方向发展。例如，将至少两个芯片(chip)沿垂直于水平面的方向进行堆叠封装。
2、然而，堆叠封装中上、下芯片之间的引线(wire)连接长度不一样，将会导致上、下芯片的信号不一致。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：
2、基板；
3、第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括第一芯片和位于所述第一芯片上的第二芯片，所述第一芯片的非有源面与所述基板接合；
4、第二堆叠结构，所述第二堆叠结构位于所述第一堆叠结构上，所述第二堆叠结构包括第三芯片和位于所述第三芯片上的第四芯片，所述第四芯片的非有源面与所述基板接合；
5、第一电连接结构，所述第一电连接结构包括位于所述第一堆叠结构内的第一通路和位于所述第一芯片的非有源面上的第一连接垫，所述第一堆叠结构通过所述第...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一堆叠结构还包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二堆叠结构还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接垫的尺寸大于或等于所述第一连接垫的尺寸。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片和所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一堆叠结构还包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二堆叠结构还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二连接垫的尺寸大于或等于所述第一连接垫的尺寸。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片构成第一存储区块；
8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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