【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片测试，特别是涉及一种e-fuse单元和e-fuse测试阵列的绕线方法。
技术介绍
1、e-fuse（electrically programmable fuse）电子熔断或电子可编程熔断靠电压或电流控制熔断，由于e-fuse熔断前后电阻不同，常用来改变电路的连接关系。e-fuse因其体积小、功耗低、可编程性强、可靠性高、不易被擦除等优点，在集成电路中得到了广泛应用。对e-fuse的电学性能进行监测是测试芯片设计的一个重要部分，目前常用的方法是将e-fuse单元的引脚直连到金属焊盘上进行测试。
2、现有方法在设计版图时没有对e-fuse单元的引脚与金属焊盘之间的绕线电阻进行控制。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种e-fuse单元和e-fuse测试阵列的绕线方法，以解决现有技术中在设计版图时没有对e-fuse单元的引脚与金属焊盘之间的绕线电阻进行控制的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种e-fuse单元，包括e-fuse和编程晶体管，所述e-fuse的一端与所述编程晶体管的漏端相连；
3、所述e-fuse的另一端通过多层金属绕线引出，并在左右两侧分别将所述多层金属绕线中最后端金属线的端部作为第一引脚，即作为所述e-fuse单元的两个第一引脚；
4、所述编程晶体管的源端通过多层金属绕线引出，并在左右两侧分别将所述多层金属绕线中最后端金属线的端部作为第二引脚，即作为所述e-fuse单元的两个第二引脚；
<...【技术保护点】
1.一种E-fuse单元，其特征在于，包括E-fuse和编程晶体管，所述E-fuse的一端与所述编程晶体管的漏端相连；
2.根据权利要求1所述的一种E-fuse单元，其特征在于，所述通过多层金属绕线引出包括至少三层金属绕线。
3.根据权利要求1所述的一种E-fuse单元，其特征在于，所述通过多层金属绕线引出是指通过三层金属绕线引出，包括：
4.根据权利要求3所述的一种E-fuse单元，其特征在于，所述第一金属线是竖直走线的金属线，所述第二金属线是水平走线的金属线，所述第三金属线是水平走线的金属线。
5.根据权利要求3所述的一种E-fuse单元，其特征在于，所述第一金属线和第二金属线通过第一通孔连接，包括：
6.根据权利要求3所述的一种E-fuse单元，其特征在于，所述第二金属线和第三金属线通过第二通孔连接，包括：
7.根据权利要求3所述的一种E-fuse单元，其特征在于，所述通过三层金属绕线引出，还包括：每层金属线都设置有多根，且相邻金属线之间距离相同。
8.根据权利要求3所述的一种E-fuse单
9.一种E-fuse测试阵列的绕线方法，其特征在于，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的一种E-fuse测试阵列的绕线方法，其特征在于，所述第三金属线是水平走线的金属线，用于E-fuse测试阵列绕线的第二金属线是竖直走线的金属线。
11.根据权利要求9或10所述的一种E-fuse测试阵列的绕线方法，其特征在于，所述第一列的E-fuse单元的左侧引脚中：
12.根据权利要求9或10所述的一种E-fuse测试阵列的绕线方法，其特征在于，所述第N列的E-fuse单元的右侧引脚中：
13.根据权利要求9或10所述的一种E-fuse测试阵列的绕线方法，其特征在于，所述第j列的E-fuse单元的右侧引脚、第j+1列的E-fuse单元的左侧引脚：
...【技术特征摘要】
1.一种e-fuse单元，其特征在于，包括e-fuse和编程晶体管，所述e-fuse的一端与所述编程晶体管的漏端相连；
2.根据权利要求1所述的一种e-fuse单元，其特征在于，所述通过多层金属绕线引出包括至少三层金属绕线。
3.根据权利要求1所述的一种e-fuse单元，其特征在于，所述通过多层金属绕线引出是指通过三层金属绕线引出，包括：
4.根据权利要求3所述的一种e-fuse单元，其特征在于，所述第一金属线是竖直走线的金属线，所述第二金属线是水平走线的金属线，所述第三金属线是水平走线的金属线。
5.根据权利要求3所述的一种e-fuse单元，其特征在于，所述第一金属线和第二金属线通过第一通孔连接，包括：
6.根据权利要求3所述的一种e-fuse单元，其特征在于，所述第二金属线和第三金属线通过第二通孔连接，包括：
7.根据权利要求3所述的一种e-fuse单元，其特征在于，所述通过三层金属绕线引出，还包括：每层金属线都设置有多根，且...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤炎，杨璐丹，施姣，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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