【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种电子器件。
技术介绍
1、现行芯片设计中，电力(power)与讯号都是在芯片的同一侧进行布局，例如如图1所示，电力与讯号都布局在芯片10、20的下侧，并分别经由电力路径p1、p2和讯号路径s1、s2从基板12到达对应的芯片10、20。具体的，电力路径p1、p2和讯号路径s1、s2都经由基板12、以及基板12与芯片10、20之间的重分布层14传输至芯片10、20。这需要另外设计讯号阻碍功能的线路来避免干扰，以解决寄生电容或讯号干扰等问题，造成基板12与重分布层14需要布局更多的层数。并且，电力和讯号的线路被局限在同一侧，还会造成设计局限。
2、另外，因为电力线路的线宽(或线径)通常高于讯号线路，故无法减少重分布层14的层数。例如，电力线路的线宽/线距(l/s)>8μm/8μm，讯号线路的l/s<5μm/5μm，若将它们整合在一起，重分布层14的层数会多于6个介电层及6个金属线路层。在另一方面，图1所示的结构可以称为扇出模组(fanout module)30。基板12与重分布层14的层数过多也会导致扇出模组30翘曲，例如扇出模组30的翘曲会>+/-150μm，这将导致翘曲难以控制及上板问题。
技术实现思路
1、针对以上问题，本申请提出一种电子器件，至少可以解决将电力路径和讯号路径形成于芯片同一侧造成电路与讯号之间的干扰问题。
2、本申请的技术方案是这样实现的：
3、根据本申请的一个方面，提供了一种
4、在一些实施例中，所述散热件透过所述电力调节器向所述第一芯片提供电力。
5、在一些实施例中，所述散热件具有邻近所述电力调节器和所述第一芯片的底面，所述底面处设置有重分布线路，以提供传递电力与接地的线路。
6、在一些实施例中，电子器件还包括基板，所述基板支撑所述散热件和所述第一芯片，其中，所述基板透过所述散热件的所述底面处的所述重分布线路电连接所述第一芯片。
7、在一些实施例中，所述基板透过纳米线与所述散热件连接。
8、在一些实施例中，所述基板具有邻近所述基板的边缘的第一区以及邻近所述第一区设置的第二区，其中，向所述第一芯片提供的电力来自于所述第一区。
9、在一些实施例中，所述第一芯片的有源面与所述第二区相对设置，并且与所述第二区进行讯号传输。
10、在一些实施例中，所述重分布线路与所述散热件之间设置有绝缘层。
11、在一些实施例中，电子器件还包括第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片相邻，并且用以接收来自所述散热件提供的电力。
12、在一些实施例中，所述电力调节器透过纳米线与所述散热件连接。
13、在上述电子器件中，通过利用散热件来提供容纳电力调节器的空间，并且借由这样的散热件来形成第一芯片的供电路径，可以将供电路径和讯号路径配置在第一芯片的不同侧，因此至少可以解决将电力路径和讯号路径形成于芯片同一侧造成电路与讯号之间的干扰问题。
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1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述散热件透过所述电力调节器向所述第一芯片提供电力。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述散热件具有邻近所述电力调节器和所述第一芯片的底面，所述底面处设置有重分布线路，以提供传递电力与接地的线路。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，还包括基板，所述基板支撑所述散热件和所述第一芯片，其中，所述基板透过所述散热件的所述底面处的所述重分布线路电连接所述第一芯片。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述基板透过纳米线与所述散热件连接。
6.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述基板具有邻近所述基板的边缘的第一区以及邻近所述第一区设置的第二区，其中，向所述第一芯片提供的电力来自于所述第一区。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述第一芯片的有源面与所述第二区相对设置，并且与所述第二区进行讯号传输。
8.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述重分布线路与所述散热
9.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片相邻，并且用以接收来自所述散热件提供的电力。
10.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电力调节器透过纳米线与所述散热件连接。
...【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述散热件透过所述电力调节器向所述第一芯片提供电力。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述散热件具有邻近所述电力调节器和所述第一芯片的底面，所述底面处设置有重分布线路，以提供传递电力与接地的线路。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，还包括基板，所述基板支撑所述散热件和所述第一芯片，其中，所述基板透过所述散热件的所述底面处的所述重分布线路电连接所述第一芯片。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述基板透过纳米线与所述散热件连接。
6.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵繁宇，李铮鸿，林政男，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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