【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，尤其涉及一种大功率芯片封装键合的方法及芯片封装件。
技术介绍
1、大功率芯片指的是一类能够处理大功率信号的集成电路芯片，通常用于驱动电机、发光二极管(led)等高功率负载的控制电路中，与传统的小功率集成电路不同，功率芯片需要能够承受高电流、高电压和高温等极端环境，同时具有较高的效率和可靠性，常见的功率芯片包括功率放大器、功率开关、电机控制器等，芯片在完成前工序加工后，需要采用塑封料对芯片进行封装，使芯片与外界环境电绝缘，同时能够防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成芯片的电气性能下降的问题，起到保护芯片的目的。
2、目前，大功率芯片的封装多采用锡膏焊接、共晶焊、热压焊等方法来实现芯片与封装基板的电性连接，其在焊接时容易导致焊接面的空洞率、虚焊、假焊等缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种大功率芯片封装键合的方法及芯片封装件，通过在使用液态贴片胶作为芯片粘贴材料时，在引线键合前增加等离子清洗的操作，可以降低焊线虚焊和芯片表面分层的缺陷率，同时采用反向焊接的焊线方式，降低焊线的弧度，降低露线缺陷的比率，提高拉力测试的结果，降低在注塑过程断线的缺陷率，综上解决了
技术介绍
中的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种大功率芯片封装键合的方法，包括如下步骤；
4、s1、晶圆处理，晶圆处理主要是针对晶圆减薄的处理；
5、s2、贴片，贴片是将芯片粘贴到封装载体上的过程；
...【技术保护点】
1.一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：包括如下步骤；
2.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述步骤S1中晶圆处理包括晶圆减薄、晶圆保护胶膜压合、晶圆贴膜以及晶圆切割。
3.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆减薄主要通过金刚石砂轮背部研磨，且研磨的过程分为粗磨与细磨，粗磨轮使用的金刚石颗粒常为350μm，细磨轮使用的金刚石颗粒常为常为7μm。
4.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆在研磨减薄的过程中需要再晶圆正面上贴一层保护胶膜，主要通过压合工艺实现，且保护胶膜是防止晶圆在研磨的过程中被硅颗粒、研磨液以及水等损伤和沾污，同时保护胶膜可以支撑薄晶圆，防止晶圆在减薄到200μm以下的厚度时发生翘曲变形。
5.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆贴膜将减薄的晶圆粘接到胶膜上后，胶膜被固定在金属框架上用来固定和支撑晶片，以便进行随后的晶圆切割工艺，在芯片粘接到具有张力的胶膜上，在晶片切割过程中易于分离
6.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆切割采用激光切割的方式进行切割，以防止晶圆厚度减薄到80μm时出现裂纹。
7.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述贴片过程中的载体为引线框架或基板，所述芯片粘接的材料为液态环氧树脂和环氧树脂薄膜。
8.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述注塑采用柱塞式传递模注塑，且在完成注塑后还需通过烘箱进行烘烤使内部的材料反应充分。
9.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述引线键合主要采用热超声焊接，且采用的为反向焊接方式。
10.一种芯片封装件，其特征在于：根据权利要求1-9任一项所述的大功率芯片封装键合的方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：包括如下步骤；
2.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述步骤s1中晶圆处理包括晶圆减薄、晶圆保护胶膜压合、晶圆贴膜以及晶圆切割。
3.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆减薄主要通过金刚石砂轮背部研磨，且研磨的过程分为粗磨与细磨，粗磨轮使用的金刚石颗粒常为350μm，细磨轮使用的金刚石颗粒常为常为7μm。
4.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆在研磨减薄的过程中需要再晶圆正面上贴一层保护胶膜，主要通过压合工艺实现，且保护胶膜是防止晶圆在研磨的过程中被硅颗粒、研磨液以及水等损伤和沾污，同时保护胶膜可以支撑薄晶圆，防止晶圆在减薄到200μm以下的厚度时发生翘曲变形。
5.根据权利要求2所述的一种大功率芯片封装键合的方法，其特征在于：所述晶圆贴膜将减薄的晶圆粘接到胶膜上后，胶膜被固定在金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：任晓伟，宗玄武，
申请(专利权)人：复汉海志江苏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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