【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，特别涉及一种芯片封装载体制作方法及芯片封装载体。
技术介绍
1、封装，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，空腔封装作为一种常用的封装方式，通常由热沉底座、引线框架和封装盖封装组成。目前，一种具有优异防潮性能的新型热塑性塑料液晶聚合物(lcp)，替代了价格高昂的陶瓷及金属材质，被广泛应用于引线框架及封装盖的材料中。
2、然而，目前芯片封装载体的封装过程中，一种常见的封装方法是采用塑封材料(如epoxy molding compound，环氧树脂模塑料)对芯片实现封装。这种封装方式一般是通过封装基板(substrate)对芯片进行支撑，然后从封装基板的另一侧对放置于封装基板上的各个芯片采用所述塑封材料实现塑封，完成芯片的封装过程。然而，专利技术人经研究发现，这种封装方式，在塑封过程中可能会因为塑封材料的流动以及温度变化导致的塑封材料涨缩等因素而使得芯片在所述封装基板上产生位移，进而导致芯片的封装不良。故此，我们提出了一种芯片封装载体制作方法及芯片封装载体。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种芯片封装载体制作方法及芯片封装载体，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种芯片封装载体制作方法，包括以下步骤：
4、s1：制作形成芯片基材，所述芯片基材上设置有多个芯片限位槽及围绕所述芯片限位槽的封装区，所述芯片限位槽用于固定芯片；
5、s2：将
6、s3：在各所述芯片与对应的芯片限位槽之间形成的间隙中设置介电填充层；
7、s4：在芯片基材上的封装区镀覆缓冲层；
8、s5：对缓冲层进行热处理；
9、s6：在芯片基材上镀覆用于连接芯片基材与芯片的金属层，所述金属层覆设整个芯片基材的上表面；
10、s7：将引线框架固定在金属层上。
11、优选的，在所述s1中，所述芯片限位槽为倒梯形结构，所述芯片限位槽槽底的宽度小于所述芯片限位槽槽口的宽度。
12、优选的，在所述s3中，所述介电填充层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂和pbo中的任意一种。
13、优选的，在所述s4中，所述缓冲层的厚度为20-200um，所述缓冲层的材料为银。
14、优选的，在所述s5中，对缓冲层进行热处理具体为：在惰性气体保护下的退火处理。
15、优选的，所述惰性气体包括但不限于氮气。
16、优选的，所述退火温度由室温升温至600-900℃，保温2-12h后再降温至室温。
17、优选的，在所述s6中，所述金属层的材料包括但不限于镍、钯和金中的任意一种。
18、一种芯片封装载体，采用上述的方法制成。
19、与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
20、1、本专利技术通过预先制作得到的具有芯片限位槽的芯片基材，将芯片分别放置在不同的芯片限位槽中实现各芯片的封装制作，同时介电填充层将芯片稳定的限定在芯片限位槽中，进而使得芯片不会在封装制程的各制作步骤中发生位移，相较于现有的芯片封装制作过程，可以防止各芯片在封装制程的各制作步骤中发生位移而导致的芯片封装不良，进而提升芯片的封装效果以及封装芯片的性能。
21、2、本专利技术通过在芯片基材与引线框架之间增加缓冲层，能够缓冲芯片基材与引线框架因热膨胀系数不同而产生的应力，避免芯片封装载体漏气或分层，从而保证了芯片封装载体的气密性。
22、3、本专利技术采用银制备缓冲层，由于银的硬度较软，能够有效对冲芯片基材与引线框架之间因热膨胀系数不同而产生的应力进行缓冲，同时对缓冲层进行热处理，能够进一步地降低缓冲层的硬度，使得缓冲层具有较低的硬度，能够产生较大变形，从而进一步提升缓冲层对应力的缓冲效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述S1中，所述芯片限位槽为倒梯形结构，所述芯片限位槽槽底的宽度小于所述芯片限位槽槽口的宽度。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述S3中，所述介电填充层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂和PBO中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述S4中，所述缓冲层的厚度为20-200um，所述缓冲层的材料为银。
5.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述S5中，对缓冲层进行热处理具体为：在惰性气体保护下的退火处理。
6.根据权利要求5所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：所述惰性气体包括但不限于氮气。
7.根据权利要求5所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：所述退火温度由室温升温至600-900℃，保温2-12h后再降温至室温。
8.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特
9.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：所述镀覆方式采用物理气相沉积和电镀中的任意一种。
10.一种芯片封装载体，其特征在于：所述芯片封装载体为采用如权利要求1-9任一项所述的方法制成。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述s1中，所述芯片限位槽为倒梯形结构，所述芯片限位槽槽底的宽度小于所述芯片限位槽槽口的宽度。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述s3中，所述介电填充层的材料为聚酰亚胺、环氧树脂和pbo中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述s4中，所述缓冲层的厚度为20-200um，所述缓冲层的材料为银。
5.根据权利要求1所述的一种芯片封装载体制作方法，其特征在于：在所述s5中，对缓冲层进行热处理具体为：在惰性气...
【专利技术属性】
技术研发人员：任晓伟，胡隽，
申请(专利权)人：复汉海志江苏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。