【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及静态存储器(SRAM)电路被集成在半导体芯片上的半导体集成电路， 尤其涉及增大SRAM集成电路装置的动作所需要的动作余量的结构。
技术介绍
近年来，对半导体器件、例如SRAM电路等半导体器件，强烈要求高速化和低功耗 化。图32表示以往的SRAM存储器单元电路。此处，BLT和BLB是位线，WL是字线，Vdd 是高电平电源线，Vss是接地电位线，201和202是用于对存储器单元进行存取的传输晶体 管，203和204是为了保存存储器单元的数据而驱动存储节点的驱动晶体管，205和206是 为了保存存储器单元的数据而提供电荷的负载晶体管，207和208是存储节点。若要降低SRAM电路的功耗，使电源电压降低是最简单且效果最好的方法。但是，在低电源电压下，晶体管的动作所需要的动作余量降低，动作变得不稳定。 作为解决该问题的技术，在日本特开平11-39879号中公开了以下技术，S卩控制构成SRAM 单元的晶体管的衬底电位，实现写入时的高速化并降低读出时的功耗。另外，在日本特开 2003-151277号中公开了一种电路技术，即一个存储器单元使用具有两种Vth的晶体管...
【技术保护点】
一种半导体存储器件，作为存储器单元阵列发挥作用，包含多个晶体管而构成的静态式存储器单元排列在列方向和行方向上，其特征在于，包括：多条用于对上述存储器单元进行存取的位线；第一阱层，在与上述多条位线中的一条连接的构成多个存储器单元的同一列内形成的各个晶体管为共同设置；以及第二阱层，在与上述多条位线中的其他线连接的构成多个存储器单元的同一列内形成的各个晶体管为共同设置，其中，上述第一阱层的电位被控制为与上述第二阱层的电位不同的电位。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山冈雅直，河原尊之，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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