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本发明提供一种半导体存储器件，在使用了小型化的晶体管的低功耗ＳＲＡＭ中，通过降低从漏电极流向衬底电极的漏电流和亚阈值漏电流，降低ＬＳＩ电路整体的功耗，并且提高存储器单元的写入读出时的动作稳定性。并且，提供一种抑制因增加晶体管数量等造成的存储...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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