【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，尤其涉及一种光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法。
技术介绍
1、步进式光刻机是一种用于制造集成电路(ic)的装置，其在微小的硅片表面上可以形成数百万个微观电路元件，是复杂工艺的重要组成部分。
2、在半导体加工过程中，步进式光刻机设备上因为晶圆背面的污染，使得微粒或晶圆加工残屑进入晶圆台，导致出现局部聚焦问题，进而使得产品瑕疵率提高。
3、传统的背面处理清洁工艺采用手动石磨或自动石墨来清洗晶圆台，但由于是通过手动石磨或自动石墨往晶圆台外部推送的方式清除微粒或晶圆加工残屑，导致无法完全除去污染源，会有部分微粒或晶圆加工残屑残留在晶圆台的针孔区域中，致使局部聚焦问题持续发生，而之后生产的瑕疵品晶圆就必须进行重加工。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，为克服现有技术缺陷，提供了一种光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法,通过在传统除尘工序中的石磨除尘工具中央设置真空除尘线和清洁剂线来去除微粒和晶圆加工残屑。
2、本专利技术目的通过下述技术方案来实现：
3、一种光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，所述方法包括：
4、在石墨除尘工具中央设置真空除尘线和清洁剂线，所述真空除尘线和所述清洁剂线从所述除尘工具支撑部中央连通所述石墨除尘工具的外部；
5、在执行除尘的过程中，喷洒清洁剂，以清洁剂清洁晶圆表面微粒及晶圆残屑；
6、利用所述真空除尘线将所述清洁剂转移到所述石墨除尘工具外部。<...
【技术保护点】
1.一种光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述清洁剂包括异丙醇溶液。
3.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述石墨除尘工具包括手动石磨或自动石磨。
4.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述清洁剂线出液口位于所述石墨除尘工具正中央，所述清洁剂喷洒于晶圆台上端部位。
5.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述石墨除尘工具的直径小于5cm。
6.如权利要求4所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述真空除尘线吸尘口在所述清洁剂线出液口外围。
7.如权利要求6所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述真空除尘线吸尘口呈圆环状包围所述清洁剂线出液口，所述真空除尘线吸尘口与所述清洁剂线出液口不接触。
8.如权利要求6所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述清洁剂包括异丙醇溶液。
3.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述石墨除尘工具包括手动石磨或自动石磨。
4.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造过程中的晶圆台除尘方法，其特征在于，所述清洁剂线出液口位于所述石墨除尘工具正中央，所述清洁剂喷洒于晶圆台上端部位。
5.如权利要求1所述的光刻机晶圆制造...
【专利技术属性】
技术研发人员：金成昱，梁贤石，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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