【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体而言，涉及一种基于多次喷涂的光刻胶涂布方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、在光刻工艺中，光刻胶涂布质量的优劣直接影响光刻的质量。常用的光刻胶涂布方法有：旋涂法、喷涂法、滚涂法、浸入提拉法等。光刻工艺旋涂法就是通过向晶圆（wafer）中心喷涂光刻胶及晶圆的高速旋转，实现光刻胶在晶圆表面成膜的旋涂工艺。
2、然而，上述旋涂工艺最大的缺点是光刻胶利用率较低，通常只有20%至50%的光刻胶能够保留在晶圆表面，其余50%至80%的光刻胶会在高速旋转的过程中被甩离晶圆表面，然后流到废液槽中。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种基于多次喷涂的光刻胶涂布方法、装置、设备及介质，以解决光刻胶涂布过程中，光刻胶利用率较低的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种基于多次喷涂的光刻胶涂布方法，包括：
3、控制待涂布晶圆以第一转速旋转，利用喷嘴向待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶，以在待涂布晶圆上形成光刻胶圆环，目标区域为位于晶圆中心外的圆环区域；
4、控制待涂布晶圆以第二转速旋转，以使光刻胶均匀覆盖于待涂布晶圆的部分表面，且所述部分表面由亲水性变为疏水性，第二转速大于第一转速；
5、利用喷嘴向待涂布晶圆的中心位置喷涂第二预设量的光刻胶，控制待涂布晶圆以第三转速旋转，以使光刻胶均匀覆盖于待涂布晶圆的全部表面。
6、可选地，利用喷嘴向待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的
7、可选地，利用喷嘴向待涂布晶圆的中心位置喷涂第二预设量的光刻胶，包括：确定向待涂布晶圆的目标区域喷涂完光刻胶的时间点；在距离时间点的设定时间区间内，将喷嘴移动至晶圆中心上方，控制喷嘴向晶圆中心喷涂第二预设量的光刻胶。
8、可选地，目标区域包括第一目标区域及第二目标区域，目标位置包括位于第一目标区域上的第一目标位置及位于第二目标区域上的第二目标位置，选取待涂布晶圆上处于目标区域内的目标位置，将喷嘴移动至对准目标位置的喷涂位置处，包括：将喷嘴移动至对准第一目标位置的第一喷涂位置处，以在第一喷涂位置处向待涂布晶圆喷涂第一预设量中设定百分比的光刻胶；将喷嘴移动至对准第二目标位置的第二喷涂位置处，以在第二喷涂位置处向待涂布晶圆喷涂第一预设量中除设定百分比外的剩余光刻胶，第一目标位置与晶圆中心的距离大于第二目标位置与晶圆中心的距离。
9、可选地，在利用喷嘴向待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶之前，还包括：确定光刻胶的喷涂总量；根据喷涂总量及两轮喷涂之间的喷涂比例，确定第一预设量及第二预设量。
10、可选地，控制喷嘴向晶圆中心喷涂第二预设量的光刻胶，包括：在待涂布晶圆静止或以第四转速旋转的情况下，向晶圆中心喷涂第二预设量的光刻胶，第四转速小于第二转速。
11、可选地，第一预设量小于第二预设量，第三转速大于第二转速。
12、第二方面，本申请实施例还提供了一种基于多次喷涂的光刻胶涂布装置，所述装置包括：
13、第一喷涂模块，用于控制待涂布晶圆以第一转速旋转，利用喷嘴向待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶，以在待涂布晶圆上形成光刻胶圆环，目标区域为位于晶圆中心外的圆环区域；
14、旋转控制模块，用于控制待涂布晶圆以第二转速旋转，以使光刻胶均匀覆盖于待涂布晶圆的部分表面，且所述部分表面由亲水性变为疏水性，第二转速大于第一转速；
15、第二喷涂模块，用于利用喷嘴向待涂布晶圆的中心位置喷涂第二预设量的光刻胶，控制待涂布晶圆以第三转速旋转，以使光刻胶均匀覆盖于待涂布晶圆的全部表面。
16、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的基于多次喷涂的光刻胶涂布方法的步骤。
17、第四方面，本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如上述的基于多次喷涂的光刻胶涂布方法的步骤。
18、本申请实施例带来了以下有益效果：
19、本申请实施例提供的一种基于多次喷涂的光刻胶涂布方法、装置、设备及介质，能够先在晶圆中心外的圆环区域喷涂第一预设量的光刻胶，再提升待涂布晶圆的转速，在第一预设量的光刻胶均匀覆盖部分表面后，再向晶圆中心位置喷涂第二预设量的光刻胶，使得第二预设量的光刻胶均匀覆盖待涂布晶圆表面，通过目标区域的喷涂能够使得部分表面由亲水性变为疏水性，疏水性使得后续喷涂的光刻胶能够更多地留在晶圆表面，与现有技术中的基于多次喷涂的光刻胶涂布方法相比，解决了光刻胶涂布过程中，光刻胶利用率较低的问题。
20、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种基于多次喷涂的光刻胶涂布方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用喷嘴向所述待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述喷嘴向所述待涂布晶圆的中心位置喷涂第二预设量的光刻胶，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标区域包括第一目标区域及第二目标区域，所述目标位置包括位于所述第一目标区域上的第一目标位置及位于所述第二目标区域上的第二目标位置，所述选取所述待涂布晶圆上处于目标区域内的目标位置，将所述喷嘴移动至对准所述目标位置的喷涂位置处，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用喷嘴向所述待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶之前，还包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述控制所述喷嘴向所述晶圆中心喷涂第二预设量的光刻胶，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设量小于所述第二预设量，所述第三转速大于所述第二转速。
8.一种基
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储介质和总线，所述存储介质存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储介质之间通过总线通信，所述处理器执行所述机器可读指令，以执行如权利要求1至7中任一项所述的基于多次喷涂的光刻胶涂布方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至7中任一项所述的基于多次喷涂的光刻胶涂布方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种基于多次喷涂的光刻胶涂布方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用喷嘴向所述待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述喷嘴向所述待涂布晶圆的中心位置喷涂第二预设量的光刻胶，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标区域包括第一目标区域及第二目标区域，所述目标位置包括位于所述第一目标区域上的第一目标位置及位于所述第二目标区域上的第二目标位置，所述选取所述待涂布晶圆上处于目标区域内的目标位置，将所述喷嘴移动至对准所述目标位置的喷涂位置处，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用喷嘴向所述待涂布晶圆的目标区域喷涂第一预设量的光刻胶之前，还包括：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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