【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，特别是涉及一种功率电源管理芯片。
技术介绍
1、现有驱动电源拓扑结构，如llc或lcc拓扑架构，通过驱动芯片进行控制两个功率器件进行交替导通，从而达到电源输出控制。
2、然而，由于线路布局的影响，两个功率器件与驱动芯片的之间线路长短具有不确定性，导致在实际使用时，驱动芯片驱动功率器件工作时，易受到干扰，另外，现有llc或lcc拓扑架构由于两个功率器件线路布局，会占用pcb的空间，不利于产品的小型化。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种利于实现产品小型化，提高产品稳定性的功率电源管理芯片。
2、为实现上述目的，本专利技术的具体方案如下：
3、一种功率电源管理芯片，包括芯片器件以及与芯片器件合封集成的高端功率器件和低端功率器件；芯片器件包括有半桥高边驱动端、半桥低边驱动端、半桥驱动高边地端和功率地端，高端功率器件和低端功率器件均具有第一端、第二端、第三端；
4、高端功率器件的第一端与半桥高边驱动端连接，低端功率器件的第一端与半桥低边驱动端连接，高端功率器件的第三端、低端功率器件的第二端、半桥驱动高边地端相连引出作为功率电源管理芯片的hs引脚，高端功率器件的第二端引出作为功率电源管理芯片的ho引脚，低端功率器件的第三端与功率地端连接后引出作为功率电源管理芯片的pgnd引脚。
5、可选地，高端功率器件的第一端穿接有第一电阻r1,高端功率器件的第一端与高端功率器件的第三端之间连
6、可选地，低端功率器件的第一端穿接有第三电阻r3，低端功率器件的第一端与低端功率器件的第三端之间连接有第四电阻r4、第一二极管d2和第一电容c2，第一二极管d2和第一电容c2串联后与第四电阻r4并联，第四电阻r4与第一二极管d2和第一电容c2并联后连接在第三电阻r3低端功率器件的第一端之间。
7、可选地，高端功率器件和低端功率器件均为nmos管。
8、可选地，芯片器件的型号为rsc6105s。
9、可选地，芯片器件包括高边驱动模块和低边驱动模块；
10、高边驱动模块的输出端为半桥高边驱动端，高边驱动模块的电源端引出作为功率电源管理芯片的hb引脚，高边驱动模块的地端为半桥驱动高边地端，低边驱动模块的输出端为半桥低边驱动端，低边驱动模块的电源端引出作为功率电源管理芯片的pvcc引脚，低边驱动模块的地端为功率地端。
11、可选地，芯片器件还包括逻辑处理模块和电平移位模块；
12、逻辑处理模块的输出端与电平移位模块的输入端相连，逻辑处理模块的输出端与低边驱动模块的输入端相连，电平移位模块的输出端与高边驱动模块的输入端相连。
13、可选地，芯片器件还包括欠压检测模块、整流器模块、误差放大器和压控振荡器；
14、欠压检测模块的电压输入端引出作为功率电源管理芯片的vin引脚，欠压检测模块的电源端引出作为功率电源管理芯片的vcc引脚，欠压检测模块的输出端与逻辑处理模块的输入端相连，整流器模块的输入端引出作为功率电源管理芯片的cs引脚，整流器模块的输出端与误差放大器的正输入端相连，误差放大器的负输入端连接基准电压vref，误差放大器的输出端与压控振荡器的输入端相连，压控振荡器的输出端与逻辑处理模块的输入端相连。
15、可选地，芯片器件还包括过压保护模块、过温保护模块和过零检测模块，过零检测模块的输入端与功率电源管理芯片的cs引脚连接，过零检测模块的输出端与逻辑处理模块连接，过压保护模块的输入端引出作为功率电源管理芯片的fb引脚，过压保护模块的输出端与逻辑处理模块连接，过温保护模块与逻辑处理模块连接。
16、可选地，过温保护模块包括第五电阻r5、热敏电阻rs、开关管m1、开关管m2、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第九电阻r9、第十电阻r10和第十一电阻r11；第五电阻r5与热敏电阻rs串联后的一端接电源vcc，另一端接地；开关管m1的控制端连接在第五电阻r5与热敏电阻rs之间，开关管m1的开关端与第六电阻r6、第七电阻r7和第八电阻r8串联后的一端接电源vcc，另一端接地；开关管m2的控制端连接在第六电阻r6和第七电阻r7之间；第九电阻r9的一端接电源vcc，第九电阻r9的另一端与第十电阻r10和开关管m2的开关端串联后接地，第十一电阻r11的一端与第九电阻r9的另一端连接，第十一电阻r11的另一端连接在第七电阻r7和第八电阻r8之间。
17、本专利技术的有益效果为：本专利技术通过将高端功率器件和低端功率器件与芯片器件进行合封集成，从而减少芯片器件驱动高端功率器件和低端功率器件工作易受到干扰的问题，利于实现产品小型化，提高产品稳定性。
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1.一种功率电源管理芯片，其特征在于，包括芯片器件以及与芯片器件合封集成的高端功率器件和低端功率器件；芯片器件包括有半桥高边驱动端、半桥低边驱动端、半桥驱动高边地端和功率地端，高端功率器件和低端功率器件均具有第一端、第二端、第三端；
2.根据权利要求1所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，高端功率器件的第一端穿接有第一电阻R1,高端功率器件的第一端与高端功率器件的第三端之间连接有第二电阻R2、第一二极管D1和第一电容C1，第一二极管D1和第一电容C1串联后与第二电阻R2并联，第二电阻R2与第一二极管D1和第一电容C1并联后连接在第一电阻R1和高端功率器件的第一端之间。
3.根据权利要求2所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，低端功率器件的第一端穿接有第三电阻R3，低端功率器件的第一端与低端功率器件的第三端之间连接有第四电阻R4、第一二极管D2和第一电容C2，第一二极管D2和第一电容C2串联后与第四电阻R4并联，第四电阻R4与第一二极管D2和第一电容C2并联后连接在第三电阻R3低端功率器件的第一端之间。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种
5.根据权利要求4所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，芯片器件的型号为RSC6105S。
6.根据权利要求5所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，芯片器件包括高边驱动模块和低边驱动模块；
7.根据权利要求6所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，芯片器件还包括逻辑处理模块和电平移位模块；
8.根据权利要求7所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，芯片器件还包括欠压检测模块、整流器模块、误差放大器和压控振荡器；
9.根据权利要求8所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，芯片器件还包括过压保护模块、过温保护模块和过零检测模块，过零检测模块的输入端与功率电源管理芯片的CS引脚连接，过零检测模块的输出端与逻辑处理模块连接，过压保护模块的输入端引出作为功率电源管理芯片的FB引脚，过压保护模块的输出端与逻辑处理模块连接，过温保护模块与逻辑处理模块连接。
10.根据权利要求9所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，过温保护模块包括第五电阻R5、热敏电阻Rs、开关管M1、开关管M2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻R11；
...【技术特征摘要】
1.一种功率电源管理芯片，其特征在于，包括芯片器件以及与芯片器件合封集成的高端功率器件和低端功率器件；芯片器件包括有半桥高边驱动端、半桥低边驱动端、半桥驱动高边地端和功率地端，高端功率器件和低端功率器件均具有第一端、第二端、第三端；
2.根据权利要求1所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，高端功率器件的第一端穿接有第一电阻r1,高端功率器件的第一端与高端功率器件的第三端之间连接有第二电阻r2、第一二极管d1和第一电容c1，第一二极管d1和第一电容c1串联后与第二电阻r2并联，第二电阻r2与第一二极管d1和第一电容c1并联后连接在第一电阻r1和高端功率器件的第一端之间。
3.根据权利要求2所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，低端功率器件的第一端穿接有第三电阻r3，低端功率器件的第一端与低端功率器件的第三端之间连接有第四电阻r4、第一二极管d2和第一电容c2，第一二极管d2和第一电容c2串联后与第四电阻r4并联，第四电阻r4与第一二极管d2和第一电容c2并联后连接在第三电阻r3低端功率器件的第一端之间。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种功率电源管理芯片，其特征在于，高端功率器件和低端功率器件均为nm...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志强，龙立，王来营，陈奇，曾文亮，陈明祥，
申请(专利权)人：瑞森半导体科技广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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