一种沟槽式功率MOS半导体制造技术

本实用新型专利技术提供一种沟槽式功率MOS半导体，涉及MOS半导体技术领域，包括半导体主体、连接板和支撑块，半导体主体的下表面固装有一号接电针，一号接电针的底端固装有二号接电针。本实用新型专利技术，通过设置连接板、一号板、二号板和防断槽，能够对一号接电针与半导体主体的连接处，避免半导体主体受到外力磕碰时导致接电针变形幅度过大的情况出现，从而降低接电针出现断裂的几率，减少使用者对其进行重新焊接的次数，通过设置加固组件，一方面能够增加连接板与半导体主体连接的稳定性，另一方面能够对半导体主体进行防护，避免在焊接主板其余部件的过程中导致半导体主体被外界的杂物刮伤导致损坏无法使用的情况出现。导致损坏无法使用的情况出现。导致损坏无法使用的情况出现。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽式功率MOS半导体


[0001]本技术涉及MOS半导体
，尤其涉及一种沟槽式功率MOS半导体。

技术介绍

[0002]沟槽式功率MOS半导体就是具有沟槽结构的半导体器件，而现有的沟槽式功率MOS半导体大多是将半导体主体与接电针通过锡焊的方式焊接在主板上，但是半导体主体与接电针直接缺少对于的加固结构，所以半导体主体在受到外力磕碰时，接电针容易受力变形，当接电针变形幅度过大时，容易出现断裂的情况，进而造成半导体主体与主板连接处的触点出现断接，这时就需要使用者对其进行重新焊接。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种沟槽式功率MOS半导体。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种沟槽式功率MOS半导体，包括半导体主体、连接板和支撑块，所述半导体主体的下表面固装有一号接电针，所述一号接电针的底端固装有二号接电针，所述连接板的外表面分别固装有一号板和二号板，所述一号板和二号板的外表面均开设有防断槽，所述一号板和二号板的外表面均设置有加固组件，所述支撑块的外表面设置有便携组件。
[0005]为了对半导体组件进行防护，本技术改进有，所述加固组件包括加固块、插接杆、防护板、散热槽、加固板和插接槽，所述加固块分别固装在一号板和二号板的外表面，所述插接杆的底端固装在加固块的上表面，所述散热槽开设在防护板的外表面，所述加固板固装在防护板的外表面，所述插接槽开设在加固板的外表面。
[0006]为了对一号接电针与半导体主体的连接处进行防护，本技术改进有，所述一号接电针和二号接电针的外表面均与防断槽的内壁滑动连接，所述连接板、一号板和二号板的材质均为橡胶。
[0007]为了对连接板进行加固，本技术改进有，所述插接杆的外表面与插接槽的内壁滑动连接，所述插接杆的材质为软胶。
[0008]为了方便一次性携带大量半导体主体，本技术改进有，所述便携组件包括扣动孔、一号侧壁、二号侧壁、一号防护槽和二号防护槽，所述扣动孔开设在支撑块的外表面，所述一号侧壁和二号侧壁分别固装在支撑块的外表面，所述一号防护槽和二号防护槽分别开设在一号侧壁和二号侧壁的内部。
[0009]为了方便携带半导体主体的过程中对接电针进行防护，本技术改进有，所述一号接电针的外表面与一号防护槽的内壁滑动连接，所述二号接电针的外表面与二号防护槽的内壁滑动连接。
[0010]与现有技术相比，本技术的优点和积极效果在于，
[0011]1、本技术中，通过设置连接板、一号板、二号板和防断槽，能够对一号接电针
与半导体主体的连接处，避免半导体主体受到外力磕碰时导致接电针变形幅度过大的情况出现，从而降低接电针出现断裂的几率，减少使用者对其进行重新焊接的次数，通过设置加固组件，一方面能够增加连接板与半导体主体连接的稳定性，另一方面能够对半导体主体进行防护，避免在焊接主板其余部件的过程中导致半导体主体被外界的杂物刮伤导致损坏无法使用的情况出现。
[0012]2、本技术中，通过设置便携组件，能够在一次性携带大量半导体主体时，分别对一号接电针和二号接电针进行防护，避免在携带过程中半导体主体相互撞击导致接电针变形而焊接不便的情况出现。
附图说明
[0013]图1为本技术提出一种沟槽式功率MOS半导体的部分立体结构示意图；
[0014]图2为本技术提出一种沟槽式功率MOS半导体的部分立体结构侧视图；
[0015]图3为本技术提出一种沟槽式功率MOS半导体的部分立体爆炸图；
[0016]图4为本技术提出一种沟槽式功率MOS半导体的部分立体爆炸剖视图；
[0017]图5为本技术提出一种沟槽式功率MOS半导体的部分立体结构俯视图。
[0018]图例说明：
[0019]1、半导体主体；2、一号接电针；3、二号接电针；4、连接板；5、一号板；6、二号板；7、防断槽；8、加固块；9、插接杆；10、防护板；11、散热槽；12、加固板；13、插接槽；14、支撑块；15、扣动孔；16、一号侧壁；17、二号侧壁；18、一号防护槽；19、二号防护槽。
具体实施方式
[0020]为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本技术做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0021]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是，本技术还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本技术并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。
[0022]请参阅图1
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5，本技术提供一种技术方案：一种沟槽式功率MOS半导体，包括半导体主体1、连接板4和支撑块14，半导体主体1的下表面固装有一号接电针2，一号接电针2的底端固装有二号接电针3，连接板4的外表面分别固装有一号板5和二号板6，一号板5和二号板6的外表面均开设有防断槽7，通过设置连接板4、一号板5、二号板6和防断槽7，能够对一号接电针2与半导体主体1的连接处，避免半导体主体1受到外力磕碰时导致接电针变形幅度过大的情况出现，从而降低接电针出现断裂的几率，减少使用者对其进行重新焊接的次数，进而在降低接电针变形几率的情况下，延长半导体主体1的使用寿命，当需要将半导体主体1焊接在主板上时，将二号接电针3对准防断槽7后进行插接，直至一号接电针2完全嵌入防断槽7的内部，此时连接板4紧贴半导体主体1的下表面，从而完成对接电针的防护。
[0023]一号板5和二号板6的外表面均设置有加固组件，加固组件包括加固块8、插接杆9、防护板10、散热槽11、加固板12和插接槽13，加固块8分别固装在一号板5和二号板6的外表面，插接杆9的底端固装在加固块8的上表面，散热槽11开设在防护板10的外表面，加固板12
固装在防护板10的外表面，插接槽13开设在加固板12的外表面，插接杆9的外表面与插接槽13的内壁滑动连接，插接杆9的材质为软胶，通过设置加固块8、插接杆9、防护板10、散热槽11、加固板12和插接槽13，一方面能够增加连接板4与半导体主体1连接的稳定性，另一方面能够对半导体主体1进行防护，避免在焊接主板其余部件的过程中导致半导体主体1被外界的杂物刮伤导致损坏无法使用的情况出现，散热槽11的开设，是为了方便半导体主体1进行散热，当需要对连接板4进行加固时，将插接杆9对准插接槽13后进行插接，直至防护板10紧贴半导体主体1的上方，通过插接完成的插接杆9增加连接板4与半导体主体1组装的稳定性。
[0024]支撑块14的外表面设置有便携组件，便携组件包括扣动孔15、一号侧壁16、二号侧壁17、一号防护槽18和二号防护槽19，扣动孔15开设在支撑块14的外表面，一号侧壁16和二号侧壁17分别固装在支撑块14的外表面，一号防护槽18和二号防护槽19分别开设在一号侧壁16和二号侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式功率MOS半导体，包括半导体主体(1)、连接板(4)和支撑块(14)，其特征在于：所述半导体主体(1)的下表面固装有一号接电针(2)，所述一号接电针(2)的底端固装有二号接电针(3)，所述连接板(4)的外表面分别固装有一号板(5)和二号板(6)，所述一号板(5)和二号板(6)的外表面均开设有防断槽(7)，所述一号板(5)和二号板(6)的外表面均设置有加固组件，所述支撑块(14)的外表面设置有便携组件。2.根据权利要求1所述的一种沟槽式功率MOS半导体，其特征在于：所述加固组件包括加固块(8)、插接杆(9)、防护板(10)、散热槽(11)、加固板(12)和插接槽(13)，所述加固块(8)分别固装在一号板(5)和二号板(6)的外表面，所述插接杆(9)的底端固装在加固块(8)的上表面，所述散热槽(11)开设在防护板(10)的外表面，所述加固板(12)固装在防护板(10)的外表面，所述插接槽(13)开设在加固板(12)的外表面。3.根据权利要求1所述的一种沟槽式功率MOS半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志强，龙立，王来营，邹春平，刘盛想，
申请(专利权)人：瑞森半导体科技广东有限公司，
类型：新型
国别省市：